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標題: 關於mos source/drain contact 的數量 [打印本頁]
作者: sunwely    時間: 2011-11-4 10:32 AM
標題: 關於mos source/drain contact 的數量
關於analog cmos layout source/drain contact 的數量有必要全部打滿嗎?% Y) o/ i: b9 l* U, A6 Q3 v
有時會遇到無線可跳的情形,所以直接把 mos source/drain contact 挖掉用來走線.9 c2 {% p4 w4 e7 u
例如 ABBA 對稱的mos 直接把中間BB的contact/metal 挖掉,然後挖掉的空間拿來直接連兩邊AA的drain 端.
/ \2 p& N9 n+ K) W" ~& e; i0 ?也就是不跳Metal2 ,直接跨過BB的mos 用metal1 連接.8 h$ b: g9 e% |$ a
有人會這樣做嗎? 還是全部都用metal跳線? 而不會挖掉mos source/drain contact ?
  N4 a; F7 M3 F) V7 u2 t6 ~: Z另外如果挖掉某部份的contact 除了造成 mos 電流走向不平均外還會有其他影響嗎?
作者: motofatfat    時間: 2011-11-4 02:21 PM
原則上是 能有多少 就多少
# Y1 G6 b0 t$ w3 D4 C* \: k# Y& \有時候有些考慮 用幾層 metal  也是考慮因素1 w+ d  B1 I6 c! x  I
ABBA 是要對稱的 ,cont 也在對稱的項目之中
作者: MTK1019    時間: 2011-11-18 03:11 AM
1，contect 孔多可以减小接触电阻，每个孔的电阻为2-3Ω。孔越多电阻越小4 e: @! W! ~3 O% p  f4 Y' \  ^
2，严格的MOS匹配，连线都要一致，不匹配的连线有可能引起1%的失配
# w  c) S7 r0 z$ C7 S3，模拟版图导线跨栅是大忌，寄生效应是我们不可预测的。



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