時間 | 主題 | 講者 |
13:30~14:00 | 來賓報到 | |
14:00~14:10 | 貴賓致詞 | |
14:10~14:50 | SiC in Taiwan | 林柏丞 技術長特助 盛新材料科技股份有限公司 |
14:50~15:30 | 氮化鎵磊晶MBE製程技術與設備發展布局 | 業界講師 |
15:30~16:10 | 氧化鎵(Ga2O3)特性與發展優勢 | 洪瑞華 教授 國立陽明交通大學電子研究所 |
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