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標題: 用mos 電容,使用tsmc 0.18um的製程 [打印本頁]
作者: jeffrey    時間: 2008-3-7 04:26 PM
標題: 用mos 電容,使用tsmc 0.18um的製程
Dear 先進們,! F  n- Y1 H( N
請問若在tsmc 0.18um的製程�,則若電容使用mos來做, 則它的電容值是多少(如每個???f/um)
% o' G- R6 G) C4 x5 ]因小弟不清楚的design rule有否寫這個數值..* A4 o1 `3 M! o' \

8 Y4 J4 I# o) a, ~感謝各位的幫忙.
作者: qpau    時間: 2008-3-8 09:37 PM
MOS的電容值可以用oxide的厚度,面積以及介電係數算出來,
  t% y( ]& z2 S, ?# p* yoxide厚度在spice model內可找得到, 通常是tox這個參數,: |- l- s: L4 Q
但要注意MOS的電容值會隨著偏壓改變,  c. D' l1 @7 U, M5 S' f
可用軟體模擬出C-V曲線,4 e' O% m' [' L# J& f6 \
Btw, 0.18um製程中應該有提供accumulation mode varactor這種元件,/ v( I& a( B  q2 ~5 u. G( l
也就是長在NWELL裡的NMOS,6 R: R9 w* }4 _; }/ d7 ~, p% x2 o9 v" o
spice model文件中應該也有這種元件詳細C-V曲線以及RF model,
1 g4 s% k7 r; V9 `# l使用這種元件並不需要多加光罩,
" t# A! ~$ h7 m( R; i, C建議你可以查ㄧ下spice model的說明文件
作者: tommywgt    時間: 2008-3-11 12:09 PM
我記得是不是在美國的哪所大學有很多的虛擬製程可以下載的???: O( d! i- A+ ^) {

* ~1 Q; r3 [" U5 f( }, S4 D哪位大大可以補充一下下?
作者: st80069    時間: 2008-9-1 06:02 PM
我記得Hspice有一個指令可以模擬MOS的電容值，且要用MOS做電容估算的方法就是下面這個指令5 w5 o- w6 @9 n( S# I7 l: u! Z
.option dccap post
7 o" d+ v3 X  i% o' S2 u( {1 R# m; D.print CGG=LX18(mn1), f6 Q+ p, ~" V/ I9 G, |2 q. ~
.dc vin 0 5 0.1/ }- u( s( A$ z1 I' {; z
....* C6 f7 v# [. y$ Q* ^7 {; i; s
...... h3 {& d! W' Y/ J9 Z
.......2 Q; q& D: C2 h* S
.end' D/ K- o& |6 _7 ^: j
然後往.lis 裡就有出現這個MOS的電容值了吧....7 c7 o6 X' `2 N6 s4 H; x. A
如有錯誤，請大大們指教~~~& s8 d( ]# q! f5 U

- t& @1 ^  D' I5 ?* b! F6 i& V! I對了，想借問一下，用mos作電容 V.S. 三明治metal夾層作的電容 差別在哪裡啊，
, e8 w" f& _8 O. D0 e我模擬過，發現MOS只需要小小一顆W/L=2.9/15 就可以輕輕鬆鬆的達到750fF，
5 h6 v3 K  A$ N而三明治卻需要好幾十倍，那面積大大減小，為什麼大家不改成都用MOS做就好了???
作者: 小緯仔    時間: 2008-9-17 04:10 PM
回樓上的大大，MOS電容是非線性電容
+ N. T$ W" x4 l) v! D( @
5 t, Q" c' s; x+ {6 W( ]比較不穩定，但好處就是能用小面積來換取大的電容值



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