Chip123 科技應用創新平台
標題:
動態鎖存器、記憶體與靜態鎖存器、記憶體有什麼主要區別？
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作者:
chip123
時間:
2006-11-25 08:55 PM
標題:
動態鎖存器、記憶體與靜態鎖存器、記憶體有什麼主要區別？
動態鎖存器、記憶體需要動態刷新；靜態鎖存器、記憶體不需要動態刷新？
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兩個存儲方式不同，動態有內部有電源到地的電流通路，靜態不需要，所以前者會失去信號，需要刷新！
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不過敢問兩者的速度比較如何？？:o
作者:
tommywgt
時間:
2006-11-25 08:55 PM
再來領個RDB...
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Q: 動態鎖存器、記憶體需要動態刷新；靜態鎖存器、記憶體不需要動態刷新？
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A: 是的...一般來講沒錯
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Q: 兩個存儲方式不同，動態有內部有電源到地的電流通路，靜態不需要，所以前者會失去信號，需要刷新!!
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A: 不管是動態電路，靜態電路內部都有電源到地的電流通路, 一般稱為漏電流, 只是因為動態電路使用電容儲存狀態, 一旦電荷不足以表示邏輯時會造成輸出錯誤, 所有才需要refresh, 在輸入變化的頻率週期大於漏電的時間時, 就不需要refresh. 而靜態電路是靠迴授來記錄狀態, 故不存在這個問題
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Q: 不過敢問兩者的速度比較如何？？
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A: 在0.18um COMS process, dynamic circuit約可以操作在10G~15GHz以上, static circuit只能操作在1.5GHz左右, 前者使用fully design flow跟設計及工作電壓有關, 後者使用standard cell libraries.
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本帖最後由 tommywgt 於 2007-2-25 10:46 AM 編輯
]
作者:
tommywgt
時間:
2007-2-25 10:48 AM
哈哈...我不能老黃賣瓜自賣自誇也... (不能把自己的答案設成最佳答案...Orz
)
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