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標題: 國巨研發技術大躍進 成功開發X5R 1210 100μF超高容值MLCC [打印本頁]

作者: jiming    時間: 2007-5-21 06:00 PM
標題: 國巨研發技術大躍進 成功開發X5R 1210 100μF超高容值MLCC
經濟部工業局主導性新產品輔導計劃圓滿結案# A5 m$ I- f" T8 F* j" {

. U1 D" Y& p4 R# [  S2007年5月21日-- 被動元件領導廠商國巨公司研發技術大突破,成功開發X5R註1 1210 100μF(微法拉)高容值積層陶瓷電容(MLCC),為國內廠商首次以高溫度穩定性材質成功研發的100μF高容MLCC,技術實力不僅大幅領先國內同業,同時晉升為全球高容MLCC主要供應商。5 e. M6 y; W9 |7 n& m
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國巨領先的研發能力備受政府關注與肯定,於2005年7月成功申請經濟部工業局「主導性新產品開發輔導計畫」,獲得新台幣2,200萬元補助金。國巨在此計畫執行過程中,以滿分通過每一階段的技術審查,順利達成該項計畫設定的生產良率目標,並於2006年底圓滿結案。; U( f# f2 [5 j* i9 x! F+ B

: V2 C2 t& k0 U8 T; u3 g! I透過「新世代高溫度穩定性X5R 1210 100μF積層陶瓷電容」計畫的執行,國巨雙雙突破介電層厚度和電極層厚度的限制,成功推出介電層小於2微米、電極層厚度小於1微米的高容值MLCC,堆疊數高達八百餘層,顯示國巨與日本業者在高容值MLCC的技術能力並駕齊驅。0 `' x' g2 C, P9 c

) x  J& R5 c3 I# m& ?5 J國巨公司MLCC研發技術中心協理胡慶利博士表示:「X5R 1210 100μF積層陶瓷電容運用了多項先進技術,包括奈米粉體覆蓋、內埋式電極、精密印刷、低溫端電極等。藉由整合國巨全球研發團隊資源、工研院材化所、台大材料所的研發能量及歐美、日本技術顧問的指導,在高容值MLCC產品的開發上,具備前所未有的指標意義。」; ]' L' N" W  x! a) i& X0 }" b

( \' f; R3 _7 S& }" v& G過去100μF的高容值電容市場向來由鉭質電容主導,而X5R 1210 100μF積層陶瓷電容的溫度性穩定較高,在-55℃至85℃的工作溫度範圍內,誤差值僅為±15%,生產良率穩定,可有效取代鉭質電容市場需求。100μF高容值MLCC可應用於液晶電視、液晶顯示器、電源供應器,及低功耗的手持式消費性電子產品。
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國巨目前高階MLCC佔其整體營收比重約40%,國巨以領先同業的技術優勢,積極投入X5R、Y5V等高容產品的開發及量產,以滿足持續成長的各終端客戶需求。3 Z3 k  D8 c- A7 e/ @
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註1:被動元件常見的X5R、Y5V、及NP0,指的是MLCC容值對溫度的敏感性。其中NP0(Negative Positive Zero) 意指NP0的電容在溫度範圍內(-55  ~125゜C)是非常穩定的,從負到正溫度的容值差幾乎為0 ppm,受溫度影響極小,多應用於高頻通訊產品;X5R電容值在 - 55~85゜C之間,其變化量在± 15% 之間;Y5V電容值在 - 30~85゜C之間,其變化量在+20%~-80%之間,容值表現最易受溫度影響,但由於Y5V粉末便宜且較易製造高容值產品,是目前產量較大的產品。




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