有關於hi V製程

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高壓要注意NBL這個LAYER，有ISO_NMOS要特別注意畫法，
) a* u8 P3 y" D  D高壓的NMOS以及低壓NMOS各有不同，06U12V嗎?建議你可
7 h9 u; ~# m* ]8 Q. o& V( L以調你們公司以前出過相同製程的案子來做參考，這樣就不會
( P5 a/ F8 U% @- k( C: ?那麼有疑慮了，DOUBLE GUARDRING就夠了。
6 K% Y5 U) E! e, o2 N9 h忘了說，若是非對稱的高壓DEVICE要注意製程偏移問題。