一些Layout的問題

skeepy

1.
8 k6 K* x3 n( N5 {+ {4 R以類比來說要看跨在哪些device上,若是pmos or nmos電容是可以,其他的比較不建議.

! ^# _. Y9 Z& V9 ~- F. J# K2.
7 f3 u  G; m5 s% K要看是否為pmos或是nmos, 以pmos而言要用nring,nmos則是pring,為防止latch-up則應可能
的一整圈ring起來,何時會用到double guardring,當mos drain端見到pad,以經驗來說加寬pring比較有好的阻隔效果,以cap來隔只是將mos間距離拉大而已或是充分利用空間放cap.
+ T; h5 i6 ]+ M" y* x' q1 O
3.
8:1或是24:1是比較通用的畫法,也沒聽過會有什麼樣的問題發生,會有問題發生要看九宮格內的nw是劃成一大塊或是分成九塊.

skeepy

原帖由 blueskyinair 於 2007-9-4 01:49 AM 發表
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! W$ u5 ~; C& x5 D1 G, s
請問一下nw是劃成一大塊或是分成九塊會有什麼問題發生?
一般nw是劃成一大塊或是分成九塊呢?
: D* W2 h$ w/ i# T3 z1 K優缺點為何?
謝謝

2 c' ?8 R5 I, }8 y  C這是以往的經驗得知的,以前曾劃成一大塊,量測後有漏電,
  U. H+ Z0 H: Y9 R, t7 ?  h現在一般都區分成九小塊.