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[問題求助] 多大的Buffer可推動NMOS gate

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1#
發表於 2010-5-6 17:01:33 | 顯示全部樓層
先看一下圖,幫助了解一下狀況,好看看有沒有合理的解釋
2#
發表於 2010-5-6 17:15:35 | 顯示全部樓層
看你的輸入電壓和工作頻率,我猜你是想做Dickson Voltage Multiplier吧?: G( K8 P+ p* g) G# \
由於輸入電壓非常低為0.1V,且為Sine Wave,- R2 M0 Z& A+ V( f( W, T/ G' @( ?
在此一狀況下,輸出會被MOS Rds-on所損秏掉,7 w& o% }6 ?  z. w4 I. n
一般來說,Rds-on與W/L成反比,但是光加大MOS的W/L效果有限,且不適用!
) f3 q, V- x: h& Y看你輸入電壓為1.8V,想必是0.1um Process,
0 e$ f$ H5 W8 h0 {7 T0 S建議你改用Native NMOS,相信能解決你的問題。
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