MOS承受電壓的問題

ywliaob

這個電壓是晶圓廠保證的規範
一般是指 Vds and Vgs 的最大操作電壓 (S,B接地)
" _2 Z: S- N/ C9 }' u你要操作在大於這個電壓之外也是可以 但是風險自負
比如說 reliability and performance
晶圓廠只保證在他們規範的操作電壓內 device是沒有問題的
3.3V的device要用4V操作,理論上是可行的
- j5 U4 ^) }2 ^% V0 `因為晶圓廠對device SPEC都會有margine

ywliaob

Vds 太大 只要不超過他的breakdown voltage (3.3V device 大概7V)
4 @7 S$ u* K2 X# G% Ldevice 仍然可以操作 但是會有一些問題自己要去評估
如 CLM 造成的Idsat 是否穩定, 元件可靠度可以超過10年嗎 (DC)
6 z' B# |: v- o1 J$ Q$ b有可能元件仍然可以操作但是 一天之後就掛了
1 E1 d- k7 e5 w- I1 b基本上 好的device增加L 並不會增加BV
除非是punchthrough 情況下 增加L 才會增大BV~~~
延長contact 至poly的距離 可以增加 BV 有點類似 LDD的功用