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想要增加 MOS的耐壓程度 以我目前所知, 可以朝兩個方向去思考9 \, b3 l; ^4 m) N8 i- G
1. 使用 厚oxide的 device
: D7 t5 M: i* ^7 i# H, [! }" B4 i2. 提高該MOS的 channel length
* [. ]+ Q0 n$ S5 Y$ |5 |( E1 z9 q1 q: B/ l+ P/ w
在你的chip當中 輸入輸出介面 MOS的 drain與source比較有機會接到高壓% \( P) z$ k2 }+ c
所以一定要用 厚oxide的 MOS 並且提高 Length到一定的程度 ( 大概是/ X) h( l. f6 M# A
minimum length的2倍到3倍) 這樣才可以防止 hot-carrier effect.
1 }# t- p$ |& X
7 Y% g& E5 G1 [9 |所以在設計一個CHIP前 要先想好 哪些BLOCK 有可能會接高壓
7 m' r) t* B2 A0 g! T哪些不會, 接電壓的就可以用 minimum length的MOS 以及 薄oxide的
! N/ ]2 Y! c' I' t+ ?+ ]7 h3 {) JMOS來設計電路. |
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