|
東芝在四日市啟動5號半導體製造廠二期建設
)東京--(美國商業資訊)--東芝公司(Toshiba Corporation)(TOKYO:6502)今天為Fab 5二期開工建設舉行了奠基儀式。Fab 5是東芝最先進的製造廠(晶圓廠),位於三重縣四日市業務部(Yokkaichi Operations)記憶體工廠內。
" c. I; a$ o5 X
3 P* ~* m8 |' g1 l東芝將對Fab 5進行擴充,以保證採用新一代製程技術打造的NAND快閃記憶體及3D記憶體的製造空間。該專案將於明年夏季完成,設備投資及生產水準將視市場動向而定。& _* _% c9 u7 e( @, }4 Z
, V; \: x5 d y2 ?( \四日市業務部的三家晶圓廠目前正在量產NAND快閃記憶體,包括Fab 5一期。Fab 5計畫分兩期建造,其中一期專案已於2011年7月投入使用。在對產品供需平衡進行一番仔細衡量,發現智慧型手機、平板電腦和企業伺服器固態硬碟的需求強勁推動產品需求恢復後,東芝預計從中長期來看,市場會繼續擴張,並意識到現在正是擴充Fab 5的最佳時機。6 y% E3 Q4 b; N0 Z1 h
- R3 j, ?: f5 K$ k% Z
展望未來,東芝將利用其在先進製程技術領域的領導地位擴大業務,提高競爭力,並會開發新一代記憶體來滿足市場需求。' g3 z% \- y5 h' S, ?7 C
' y8 W& c: H- {6 e5 \0 GFab 5概況& G' q/ i; g: l0 w& z) o( P' i
大樓結構: 兩層鋼架混凝土結構,大樓共五層
! J) z0 Q' l! u# J/ F* N地上建築面積: 約38,000m2
# I; N9 }. Q1 s總建築面積: 約187,000m2 ) I2 }5 C9 b) e0 b$ s9 Y2 l
開工時間: 一期:2010年7月 % J/ `' M; o: l( C" Y" l* i
二期:2013年8月
|; @+ T3 F4 \) ~/ P& g完工時間: 一期:2011年5月 # x$ ?# A! |' }
二期:2014年夏(目標)
. w, f3 S! [) A- p; b投產時間: 一期:2011年7月
/ M( u+ Z/ k: r6 k1 y( g+ X2 _& ~二期:將於稍晚確定;主要計畫用於對現有晶圓容量進行技術轉型
$ D$ C& r& P# H/ c: v) T3 W) h$ W" M3 v) i# t' O) o
四日市業務部概況 5 l/ F! ]. N" ]! o/ y' n
位置: 800, Yamanoisshiki-cho, Yokkaichi, Mie Prefecture
: ~0 ~$ N& l- |$ ~, O7 q成立時間: 1992年1月
' ~& s, s# i. d: i總經理: Tomoharu Watanabe
0 U0 L+ \, F+ e員工數量: 約5,200名
: i4 ^) U8 ?% K+ Y; {# y3 m(截至2013年3月底,東芝的正式員工數量) 0 K( k( @( X# @6 ]% n; l$ Z& k# c' t
場地面積: 約436,800 m2 (包括Fab 5) ( U+ e2 W, H% V; q; s
總建築面積: 約647,000m2 (包括Fab 5) |
|