你最喜愛那家公司的汽車電子器件?

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(20110929 09:55:43)為了趕搭民國百年的結婚熱潮，許多新人計畫在今年間完成終身大事，期盼討個百年好合的結婚好彩頭！而隨著台灣年輕世代的新潮、時尚、個性需求不斷提升，使得台灣婚紗業不斷進化、紛出奇招，儼然成為兩岸三地婚紗業的領頭羊。現在有業者更將婚紗與LED高科技相結合，要讓每個新娘不僅只是最美麗的新娘，還要成為「最閃亮的新娘」！

妳曾經想像過…穿著白紗準備步上紅地毯，當聚光燈從黑暗中突然射向自己的那刻，在眾人眼中的自己會是多麼美麗、耀眼的新娘嗎？自成立以來，持續在婚紗攝影、禮服設計、多元服務等方面持續精進的坎城婚紗，花了一年多的時間與工研院紡織所合作研究LED婚紗，於2011年初順利研發「魔法星光禮服」。現在的妳穿上這套星光禮服後可以更耀眼、更「閃閃發亮」，而且提前在黑暗中就開始吸睛奪目、接受眾人的讚嘆與祝福。

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坎城婚紗「魔法星光禮服」系列中的白紗禮服，精細鑲嵌著各種顏色的LED燈，能隨著設定的節奏、時間，依序在純白無暇的時尚白紗上星光閃耀。坎城婚紗總經理吳益旭指出，當初會有這樣的構想，主要是看到目前婚宴中新人進場時的白紗禮服變化不大，但每位新娘又都期盼自己是最特別、最幸福的；加上看到現在LED科技已被廣泛使用，因而興起設計LED婚紗的構想，希望坎城婚紗的新娘都成為會發光、發亮的最佳女主角。

% P3 x' [. Y, B/ y7 C& h: |目前坎城婚紗「魔法星光禮服」共有近20套，受到新人極大喜愛、瘋狂預訂。
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" f' R% c* o- J6 r2 M9 O% P吳益旭表示，今年3月份台北國際花卉博覽會期間，魔法星光禮服系列禮服在花博流行館進行走秀展出後就受到各界的矚目與關注。尤其時下年輕世代的新人，都有自己的想法，不管是婚紗攝影、婚宴婚禮等，都希望這一生一次的經歷能留下永恆的記憶與畫面，而這一系列星光禮服正好符合她們的需求，所以預訂情況只能用超夯、超人氣來形容。為此坎城婚紗設計師也持續設計新的星光禮服供大家選擇。

坎城婚紗成立於1996年，從一直想讓新人擁有不一樣的婚紗攝影，要為新人打造專屬的典藏回憶開始，坎城婚紗在各方面不斷追求卓越與創新，其中禮服設計部分，坎城婚紗與國內知名設計師合作，開發設計坎城新人專屬的禮服款式，推出多元的禮服款式，除了LED魔法星光禮服外，也巧妙結合調整內衣元素，讓新娘誘人的身形曲線更加完美無缺，並利用法國蕾絲等頂級質材，縫製出與全球流行零距離的高雅禮服。
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* o# a" U$ Z; |% Y" b1 @如果您想擁有的是不一樣的婚紗攝影、不一樣的婚紗設計，如果您期待的是專屬打造的典藏回憶，『坎城婚紗』用心綻放婚紗藝術的光芒，及完善與尊榮的全方位服務，將讓每對新人由內而外感受幸福的美麗人生，讓大家化身為夢想中最完美無瑕的新人。

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訊息來源：坎城婚紗

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英飛凌推出採標準 TO 無鉛封裝的汽車電源  MOSFET


【2011 年 12 月 7 日台北訊】英飛凌科技股份有限公司 (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) 宣佈推出採用 TO 無鉛封裝的汽車電源 MOSFET 系列產品。新型 40V OptiMOS™ T2  MOSFET 結合創新的封裝技術及英飛凌的薄晶圓製程技術，擁有同級產品最佳規格。英飛凌採用擴散焊接黏晶技術所生產的無鉛封裝包括TO-220, TO-262 以及 TO-263。由於封裝幾何方面對於晶粒焊墊厚度與晶片尺寸的特殊要求，現今擴散焊接粘晶技術僅適用於上述三種英飛凌所提供的封裝形式，OptiMOS T2 系列產品的量產已準備就緒。
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$ n, m  ^8 T. I( ?) r英飛凌的 MOSFET 新系列產品超越了現行歐盟 RoHS 對於含鉛銲錫封裝的規範。更嚴格的 ELV RoHS  標準可能將於 2014年施行，屆時將要求採用完全無鉛的封裝方式。作為業界首款無鉛封裝 MOSFET，英飛凌的新產品讓客戶滿足更嚴格的要求。

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英飛凌汽車電子事業處標準電源產品副總裁暨總經理 Frank Schwertlein 表示：「英飛凌在功率半導體和相關封裝技術方面皆為業界之首。而今，英飛凌再度成為全球率先推出無鉛封裝之晶片供應商，提供汽車產業客戶因應未來，符合 RoHS 且環保之 MOSFET，協助客戶開發節能的『綠色』產品。」
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英飛凌專利的無鉛黏晶 (die attach) 技術採用擴散焊接，可提升電性與散熱表現、可製造性以及品質。此黏晶技術搭配英飛凌的薄晶圓製程（60µm，標準為 175µm），為功率半導體提供多項改良：  

& p. d, u3 J3 m* S- P3 e# R4 A·      環保的技術：不使用鉛及其他有毒物質。
·      擴散焊接黏晶技術結合薄晶圓製程：大幅降低封裝的導通電阻值 RDS(on)。
. g% Z! S- D2 B! H( A( J" H3 O·      熱阻 (RthJC) 改善率高達 40- 50%：傳統軟鉛焊料的熱傳導能力不佳，阻礙了MOSFET 接面之散熱。
·      其他優點還包括：由於沒有焊錫流跡 (Bleed-out) 及晶片傾斜 (Chip tiltness)的問題，以及更收斂的RDS(on)  與 RthJC 分佈，提供了更佳的可製造性。降低產品內的機電應力，也提升了產品可靠性和品質。
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從新款 OptiMOS T2 40V (如：IPB160N04S4-02D，160A) 的規格得知，其 RDS(on) 僅 2.0mΩ 且 RthJC 僅 0.9K/W。相較於使用標準鉛焊接的同類產品，其導通電阻降低了約 20% 。此外，英飛凌專利的擴散焊接技術可減少「晶片至導線架」的熱阻抗，讓新型 OptiMOS T2 產品擁有同級產品中最佳效能。
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OtpiMOS T2 為業界率先採用 TO 無鉛封裝的車用電源 MOSFET，系列產品包括IPB160N04S4-02D ( 160A， TO-263 封裝)、 IPB100N04S4-02D (100A, TO-263)、 IPP100N04S4-03D (100A, TO-220) 以及 IPI100N04S4-03D (100A, TO-262) 皆已上市。