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[問題求助] 高压LDO 过冲问题!

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1#
發表於 2008-10-21 23:31:36 | 顯示全部樓層
R25和C18是为了作相位补偿吗?/ ~% j9 u2 Q3 }  d: Y: w9 X
启动时电压上冲是因为上电时power pmos M30处于ON状态,这会使得负载电容充电。
1 R8 l! X9 {, @% h/ X9 C, b2 s: w! v把C18接到电源上应该可以改善上电过程中输出电压的上冲。
2#
發表於 2008-10-22 15:43:19 | 顯示全部樓層
原帖由 wxw622486 於 2008-10-22 09:58 AM 發表
9 l7 J7 B9 o/ U7 c我加大推懂M30 的电流,过冲很小了,但是怎么减少负载驱动在转换时候的突变电压,突然变大,变小,一般在60mV 左 ...

3 u) P8 c( Q  h! ]; k* w0 }3 g! s" u2 ~
减小负载变化时输出波形的过冲可以从两方面入手:( k, y& z1 H* a. Z% Y; l  j
1. 增大OP的GBW;! ?+ P" p5 Q) U) w/ w# p
2. 增大输出电容;(将1uF电容换成10uF的电容;)
3#
發表於 2008-10-23 10:58:47 | 顯示全部樓層
负载变化的时间依照负载类型的不同而不同,不好一概而论,而且在设计中需要考虑到最坏的情况,在仿真中用理想开关比较好一点。5 ^: ^; d: T2 S( f
一般电源的上电时间在ms级,ldo的过冲一般在100mV左右,输出的恢复时间和你ldo环路的GBW直接相关,GBW越大,恢复时间越短7 |6 `! j5 h# }. i0 ^
增加OP的工作电流可以增大GBW,/ N+ m2 U! Z; d$ M% d: g
另外,也可以采用transient-enhance technique(Slew rate enhancement technique)来改善瞬态响应的性能
4#
發表於 2008-10-23 11:02:46 | 顯示全部樓層
以下几篇paper供你参考,希望对你有用!

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x
5#
發表於 2008-10-23 11:12:22 | 顯示全部樓層
加buffer是为了环路的稳定性。应为OP的输出阻抗较大,它和pass device形成一个低频极点,另外,输出负载电阻电容也形成一个低频极点,这样就有两个低频极点造成环路不稳定。6 r6 R; V' N7 U( r. F- z( @. m  l
加buffer可以将OP的输出极点移动高频,同时也是引入buffer输出和pass device产生的一个极点。9 w9 l( O& a5 c
只有保证输出极点为足够低时才能保证环路的稳定性。
6#
發表於 2008-10-29 12:45:31 | 顯示全部樓層
原帖由 semico_ljj 於 2008-10-27 05:38 PM 發表 1 `" S( p2 a- `) @

2 k) A/ G& ?/ U我觉得这幅图里好像就有类似buffer的了?M78和M115就起到了降低输出电阻的作用!
% P3 _, |& K  e- e7 [8 }0 X
M78和M15的输出阻抗很大的,不是做buffer用的。如楼上版主所说,是起放大作用的。
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