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中微開發TSV刻蝕設備恰恰滿足了這樣的需求。CMOS圖像傳感器、發光二極管、微機電系統以及其他許多裝置都離不開微小的系統級芯片（SoC），而3D IC技術則是實現系統級芯片的必要條件。隨著半導體關鍵尺寸日益縮小，採用新的堆疊處理方法勢在必行。先進芯片變得日益複雜，就要求必須在能耗和性能之間尋求平衡。通過芯片的堆疊，連接線比傳統的鍵合線更短，這就提高了封裝密度，加快了數據傳輸和處理速度，並降低了能耗，所有這些在更小的單元中就可以實現。
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江陰長電賴志明總經理表示：「3D IC封裝是江陰長電先進封裝的發展方向，技術關鍵是TSV工藝集成。中微的TSV刻蝕設備體現了出色的工藝性能，很好地支持了江陰長電先進封裝的新產品開發，並能始終保持競爭優勢。我們很高興能與中微合作。」0 s; m& m5 G6 p# p( x$ I
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昆山西鈦的周浩總經理說道：「中微是昆山西鈦在先進封裝生產中的一個重要合作夥伴，昆山西鈦很願意和這樣一個鄰近的半導體刻蝕設備供應商合作，來支持我們在TSV技術方面的需求。中微的8英吋硅通孔刻蝕設備經過不斷的改進，現有設備已證明有很好的工藝性能、高產出率和低生產成本，這些都為確保我們產品的高質量奠定了重要基礎。」 # I" |/ q* T* B4 \2 U, H- i
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「對於我們TSV刻蝕設備的客戶來說，提高生產率和單位投資產出率無疑是極其必要的。」中微副總裁倪圖強博士說道，「客戶的產品線在不斷演變，這就意味著他們需要這樣一種設備 -- 可以靈活、最大範圍地刻蝕加工各種產品。而客戶採用了Primo TSV200E™就能以更快的速度加工晶圓片，同時保證高可靠性和低成本。我們很高興中微首批TSV刻蝕設備已經進入了像昆山西鈦微電子和江陰長電這樣的創新型企業。」
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Primo TSV200E™的核心在於它擁有雙反應台的反應器，既可以單獨加工單個晶圓片，又可以同時加工兩個晶圓片。中微的這一TSV刻蝕設備可安裝多達三個雙反應台的反應器。與同類競爭產品僅有單個反應台的設備相比，中微TSV刻蝕設備的這一特點使晶圓片產出量近乎翻了一番，同時又降低了加工成本。此外，該設備具有的去耦合高密度等離子體源和偏置電壓使它在低壓狀態下提高了刻蝕速率，並能夠在整個工藝窗口中實現更高的靈活度。中微具有自主知識產權的氣體分佈系統設計也提高了刻蝕速率和刻蝕的均勻性，並在整個加工過程中優化了工藝性能，射頻脈衝偏置則有效減少了輪廓凹槽。 |
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發表於 2012-3-15 08:53:36
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