VLSI-TSA及VLSI-DAT研討會

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4/26 「國際超大型積體電路技術、系統暨應用與設計、自動化暨測試研討會（VLSI-TSA ＆ VLSI-DAT）」

    【台北訊】超越摩爾定律，3DIC成為半導體未來新的發展趨勢，工研院4月26 日舉辦連續4天的「國際超大型積體電路技術、系統暨應用與設計、自動化暨測試研討會（VLSI-TSA ＆ VLSI-DAT）」，研討會報名網址：vlsitsa.itri.org.tw/2010/General。
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　　主辦單位指出，可攜式產品快速發展，觸動晶片設計與製造間的高度整合，3DIC具備高度整合優勢，帶動晶片運作更高效能，為面臨摩爾定律瓶頸的半導體界帶來產業新未來。

8 N6 G" P' q% r8 R) \　　因應全球半導體界發展3DIC技術的趨勢，本屆研討會共同規劃3DI C主題，分別邀請3DIC TSV技術權威慶應義塾大學教授Tadahiro Kur oda主講3D系統整合之晶粒導通介面技術，英代爾 Shekhar Y. Bork ar發表在能源系統設計的3D整合技術、飛思卡爾 Thuy Dao主講以鎢填充的矽穿孔之應力分析、SEMATECH總監 Sitaram Arkalgud發表矽導通可製造性的展望、IMEC Pol Marchal發表低成本的3DIC矽穿孔晶片設計的未來。
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　　此外，在VLSI-DAT研討會在首日專題演講中，也有Intel、IBM及n VIDIA等業界大師級精英發表演說，剖析下世代晶片設計、製造與測試、繪圖處理器等技術走向，為與會者帶來更先進的知識與寬闊的視野，一同探索未來科技世界。
- S" {) \" W" w7 Y# a$ U　　洽詢電話：（03）591-9046。