NXP半導體中文定名為 “恩智浦半導體”

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恩智浦半導體適用更高效基地台的高性能射頻產品於「2010年國際微波年會」中展示
2 j/ O- D6 q8 j突破性JEDEC JESD204A串列介面、SiGe:C和LDMOS技術 實現新一代無線基礎設施的設計
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1 P1 P) V& A3 }8 u0 F! j5 w【台北訊，2010年6月9日】 – 恩智浦半導體(NXP Semiconductors) 近日宣佈於加州舉行的「2010年IEEE MTT-S國際微波年會」上，展示其用於新一代基地台的最新高性能射頻(RF) 和混合訊號(Mixed Signal) 產品。特色的展示產品包括恩智浦新型高速資料轉換器產品系列，是全球首款支援JEDEC JESD204A串列介面的資料轉換器，且已量產銷售。恩智浦以SiGe:C技術為基礎的完整射頻和中頻(IF) 放大器產品系列，包括低雜訊放大器(LNAs)，及固定和可變增益放大器(variable gain amplifiers)，能夠實現無線基礎設施TRx無線電設計上的更高整合度。恩智浦第七代 LDMOS功率電晶體，及一個Doherty功率放大器的完整產品系列，包括業界首款三路900MHz Doherty放大器，和一個高達600W的單封裝Doherty，則是一款可在大功率範圍，保持高效率的小巧型元件。

恩智浦半導體高性能射頻和照明業務的資深副總裁暨總經理John Croteau表示：「隨著無線資料流量的大幅成長，行動基礎設施供應商正承受著將高經濟效益和低功耗基地台快速推向市場的龐大壓力。從離散元件到模組化基本組件和專用標準產品(ASSP)，恩智浦提供一系列的高性能射頻系列產品簡化了設計過程，打造更小巧與高效的解決方案。

透過我們在JESD204A、SiGe:C和LDMOS等技術領域的領導地位，及我們對系統層面架構創新的關注度，恩智浦豐富並填補了產業內的技術空白，從低功耗電網和遠端射頻模組(remote radio heads) 的建置，到相控陣列式天線(phased antenna arrays)，恩智浦提供了多款創新解決方案。」

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特色產品包括：
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*高速資料轉換器。恩智浦新型高速CGVTM ADCs和DACs是產業首次運用JEDEC JESD204A串列介面，除大幅減少資料轉換器與VLSI邏輯元件之間的互連訊號數量外，並能支援多資料轉換器通道的同步結合。JEDEC JESD204A介面解決棘手的系統設計難題，提高系統的可靠性，並減少開發時間和物料成本(BOM)。恩智浦JESD204A介面CGV轉換器與來自Altera、Lattice和 Xilinx，以SERDES為基礎的FPGA實現互通操作。恩智浦ADC提供絕佳的85dBc SFDR線性性能；相較現今可用的一般高速資料轉換器高出5dB，但功耗相當低。高達16位元、125 Msps 採樣率的恩智浦ADC支援相當高的頻率輸入範圍，它把新的產品類別「射頻轉換器」引進市場，並已獲得產業的認同。
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- M2 ]5 C  ^1 Q+ Q+ @$ @) F2 g! n*先進的小訊號射頻元件。恩智浦展示其射頻小訊號的完整產品系列，其中包括以SiGe:C製程為基礎的突破性低雜訊放大器系列產品，滿足無線基礎設施相當嚴苛的要求，即 NF小於0.7dB、20dB增益和33dBm IP3，達到更高的整合度。其他重點包括透過恩智浦全面射頻測試以矽為基礎的固定和可變增益高線性度放大器產品系列，適用於IF和RF頻段，可使P1dB最高達33dBm、增益控制範圍超過30dB、類比和數位SPI控制介面、OIP3達45dBm以上。  
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6 r0 {5 Z6 k* S) n" `& m, x: j*最佳射頻功率產品。恩智浦展示其第七代 LDMOS大功率電晶體組合，其功效的表現相當出色，單端封裝200W，推拉式(push-pull) 封裝250W和300W。與所有的恩智浦LDMOS功率電晶體相同，第七代LDMOS高功率電晶體確保了基地台可靠運作所需的耐用性。此外，恩智浦提供全面的最佳Doherty功率放大器，涵蓋無線基礎設施的整個頻率範圍，從 400到3500MHz ，達到業界最廣的頻率範圍。在900兆赫環境下運作的業界首款三路Doherty放大器，和以恩智浦50V LDMOS處理技術為基礎的第一個單封裝600W Doherty功率放大器，為射頻設計工程師提供最佳選擇，讓打造小型基地台成為可能。三路Doherty電路可達52.7dBm峰值(平均功率44.1dBm) ，並具有49.2%的高效率。目前600W(57.8dbBm) 單封裝電路在頻寬內49.2dBm輸出功率狀態下，可達到超過43%的效率。此外，恩智浦展示其完全整合Doherty放大器，專為小巧型遠端射頻模組和天線陣列所設計。