|
LSI 推出單片12Gb/s SAS RAID單晶片控制器 突破百萬IOPS效能障礙9 F' C( _$ U- X
LSI® SAS單晶片 I/O 效能可以充分展現快閃記憶體儲存和未來PCI Express 3.0伺服器平臺的絕佳效能 p, n# [: ^7 y( N g% s; w Y
- B' B1 O/ B4 p0 O" I8 r) D
LSI公司(NYSE:LSI)宣佈於英特爾開發者論壇 (IDF)上展示LSI新一代12Gb/s SAS RAID單晶片(ROC)技術。 * A5 Z0 H8 a+ O0 j, w& c
3 u+ }" p4 A7 w# R0 s# O3 L8 U! L8 h
於IDF中,LSI展示一款單片8埠12Gb/s SAS 單晶片,將該晶片連接至8顆6Gb/s Seagate® SAS 2.5 英吋硬碟,在 PCI Express® 2.0 直連式儲存之架構下,運行小型模組連續讀取/寫入作業時,效能可超過 100萬IOPS(Input/Output Operations Per Second,每秒輸入輸出運轉次數)。 * {$ n0 N' F- A( K8 Z0 f
6 b6 v) c, Y# a$ {透過整合SAS和PCI Express最新增強技術,以及創新的 LSI 硬體加速引擎,LSI SAS ROC 能夠為企業級固態硬碟(SSD)和符合即將推出的PCI Express 3.0規格的伺服器平臺提供所需的I/O效能,以充分發揮其效能優勢。 ( i2 P5 n6 u5 S* W$ G! `9 n
3 O$ V' e% ^6 `( A* @) V
LSI RAID儲存事業部資深副總裁暨總經理Bill Wuertz表示:「固態硬碟的優異效能,再加上產業轉換至PCI Express 3.0伺服器平臺的趨勢,成為驅使 12Gb/s SAS連接功能需求不斷增長的強勁動力。採用12Gb/s SAS,IT管理人員既能夠將現有基礎設施發揮出最大效益,亦能夠滿足I/O密集型應用、雲端資料中心和虛擬化伺服器環境等儲存需求。」 |
|