瑞薩科技致力於開發微處理器之全新中央處理器架構

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無需外接圖框暫存器記憶體(Frame Buffer Memory)即可使用WVGA TFT液晶螢幕，適用於數位汽車音響及車用、消費性電子與工業用裝置

/ w+ _/ \3 z& r, U; O( [6 h2010年11月10日，台北訊—先進半導體解決方案之頂尖供應商瑞薩電子公司（TSE：6723）宣佈推出兩款32位元微控制器(MCU)SH7268及SH7269，提供更強大的功能及更小尺寸的用途，如需要驅動彩色TFT液晶螢幕的汽車數位音響、消費性電子及工業上的應用等。上述兩款新微控制器均具備以下特色：(1) 晶片內建大容量2.5MB SRAM，幾乎為前款產品 SH7266 MCU的兩倍，無需外接RAM，即可顯示WVGA解析度（800 x 480）影像。(2) 最大CPU運作時脈提升1.8倍（目前為266 MHz），可提高效能以處理更多系統工作及數位聲音訊號。(3) 功能更強大，例如2D繪圖加速器為OpenVG™ 1.1規格，符合嵌入式設備之業界標準繪圖處理程式設計介面（API）。
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瑞薩電子SuperH™系列中的新款SH7268與SH7269 MCU以SH2A-FPU（浮點單元）超純量（superscalar）CPU核心為基礎，可提供最佳即時效能及雙精度浮點運算單元，並整合多種適用於聲音與圖形應用的周邊功能。

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由於彩色TFT液晶螢幕價格持續下降，許多採用嵌入式處理器的產品開始以彩色2D圖形顯示器做為使用者介面，以提高終端產品的整體認知價格，並使產品對使用者來說更加自然直覺。目前的趨勢是在螢幕上使用更高的解析度（最高達WVGA解析度），需要在MCU之外提供較大的RAM圖框暫存器記憶體。由於瑞薩電子獨特的SH7268及SH7269MCU內建大容量SRAM，因此無需上述的外接記憶體，不僅可節省電力與空間，更可提高效能並減少發出電磁干擾。許多應用皆可從上述產品優勢中獲益，包括汽車資訊娛樂與汽車狀態顯示器、辦公室自動化設備、家庭設備、遊戲、病患醫療監視設備、住宅與大樓自動化設備、及防火/安全控制面板…等。

以下是SH7268及SH7269 MCU新功能的主要特色：

(1)晶片內建2.5 MB大容量SRAM並支援單晶片解決方案
由於晶片內建2.5 MB SRAM，SRAM用於圖框暫存器(Frame Buffer)時，新款MCU可儲存兩個WVGA解析度畫面所需要的影像資訊。對於前一代提供VGA解析度（640 x 480）的SH7266 MCU的使用者而言，這是一個無需任何外接圖框暫存器記憶體即可升級至WVGA的理想途徑。
* s) x5 ^8 U% @6 `, I" e; @內建的2.5MB SRAM亦可用於程式儲存空間或做為工作記憶體使用。由於記憶體空間可劃分為六個分頁，不同的匯流排主控端可同時存取多個分頁，因此這些MCU非常適合即時處理。

; n" `* ?& w& J, `+ f(2)達到 266 MHz 高速運作
為了充分運用高速SRAM以及更快處理數位音訊，CPU最高作業時脈已提升為現有SH7266 MCU的1.8倍，達到266 MHz。在程式儲存空間中使用單週期存取SRAM時，可達到最高的CPU效能。更快的速度將可提升系統的作業能力，例如可在播放音樂時回應使用者的語音指令，或者在使用者進行免持通話時降低雜訊。

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(3)強化顯示功能，包括符合 OpenVG 1.1規格的2D繪圖加速器
; c: J5 P% o  I新款MCU包含支援OpenVG 1.1業界標準的2D圖形加速器，可提供高精度的2D圖形顯示功能，降低CPU核心本身的負荷，減少記憶體使用量，提供具成本效益的強化HMI（人機介面）。
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另外，這些MCU包括硬體JPEG編解碼，因此可高速執行影像資料壓縮及JPEG資料解碼。此外，配備有數位RGB輸出接腳，支援全彩顯示，以WVGA解析度提供近1700萬色。
* w/ f5 z# y/ b2 F" X" M- N: NSH7268與SH7269共計12款產品中，瑞薩電子提供CAN BUS介面的選擇，以及兩種溫度範圍（-40 至 +85° C及 20 至+85° C）。SH7268 MCU提供208-pin QFP封裝，SH7269則提供無鉛256-pin QFP及272-pin BGA封裝。所有封裝皆完全無鉛。

瑞薩將持續因應市場需求，提供SH7260系列新產品，藉由增進CPU效能、提升晶片內建記憶體容量及充實周邊功能，為高階應用提供速度更快、性能更優異的產品。同時，瑞薩也將為低階應用開發低成本產品。
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: |0 |( j' U0 `9 b4 M價格和供貨
1 D2 O7 ~6 ?: o) x/ K瑞薩電子新款SH7268及SH7269 MCU目前已開始供應樣品，建議零售單價分別為27及29美元。預定自2011年10月起量產，每月合計產能50萬顆。
! B3 C) u& g. n- z; o(價格與供貨情況如有變更，恕不另行通知。)

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瑞薩電子推出新款RL78微控制器系列產品 為次世代8/16位元內嵌應用提供解決方案
0 k, {( f, }  o7 D1 u' N  qRL78 MCU系列以32MHz達到70uA/MHz並提供41DMIPS

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; D( Y+ P1 ~4 k0 q$ i  |2010年11月17日，台北訊—先進半導體解決方案之頂尖供應商瑞薩電子公司(TSE：6723)今日宣佈推出新款RL78系列超低功耗微控制器(MCU)。RL78整合來自R8C及78K(78K0、78K0R)系列之先進功能，帶來低功耗、強大效能及更高的整合性，以提供健全的整合路徑。上述新產品採用新款RL78 CPU核心，此核心以低功耗、高效能的78K0R CPU核心為基礎，整合來自R8C及78K系列的多種強大周邊功能，使其適用於多種應用領域，包括以電池供電的裝置及家用電器等。

新款RL78 MCU在啟用即時時鐘(RTC)及低電壓偵測(LVD)的狀態下，以僅僅70微安培(μA)/百萬赫茲(MHz)的作業電流量，及0.7 µA的待機電流量，達到領先業界的超低電耗。新系列產品的節能設計以130奈米(nm)製程節點為基礎，以32 MHz運作時，可提供41 Dhrystone(註1)每秒百萬指令(DMIPS)。新款RL78 MCU的先進製程技術可提供更高的晶片內建元件整合，例如32MHz +/-1%晶片內建振盪器(註2)、最高支援百萬重寫週期背景作業之資料快閃記憶體(註2)，及1.6至5.5伏特(V)作業。上述特色不但提供更高效能，同時也降低了整體系統成本，這對於次世代8位元設計而言是非常重要的特色之一。

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瑞薩電子公司資深副總裁水垣 重生(Shigeo Mizugaki)表示：「新款RL78 MCU系列的設計，提供最新的低功耗技術，為8位元應用提供了豐富的功能整合，以滿足市場需求。過去幾年來，R8C及78K系列在多種應用領域市場中廣獲好評，就是瑞薩電子對於嵌入式產品市場承諾的最佳證明。RL78系列不僅結合上述兩個系列產品的主要特性，為現有的瑞薩電子使用者提供最佳整合路徑，同時也推出最優異的功能，可供設計更創新的產品。新系列本身所具備的低功耗技術、高度元件整合及多種內建安全保護機制，使其非常適用於多種應用的開發，包括以電池供電的裝置及家用電器等。」
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RL78系列將包含一般用途與特殊應用標準MCU。一般用途的「G」系列將包括總計302款產品，分別隸屬於RL78/G12及RL78/G13群組。首批產品將提供良好的擴充性，包括2KB至512KB的程式空間以及從20-pin至128–pin的封裝選項。

0 ~9 K9 w6 }1 n$ ]9 s/ b: j) Q瑞薩電子成立於4月1日，由NEC電子公司及瑞薩科技公司合併而成。該公司於成立之後即採用(整合)平台做為其主要MCU事業部門的設計工作基礎，大幅提升產品開發效率。由於瑞薩電子建立了fab network，因此採用的製程數已由6種減為3種，有助於降低生產成本並強化其因應市場持續變化的需求與趨勢之能力。
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RL78 MCU是在合併之後，第一個採用整合平台的MCU系列，並使用新的130 nm製程。RL78系列結合並延伸來自兩家合併企業先前的R8C與78K 8位元及16位元MCU技術，有助於降低整體系統耗電量，提供更多種類的產品，並協助開發人員降低整體系統成本。RL78系列的開發是為了滿足8位元與16位元MCU市場所預期的未來需求。

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新款RL78系列的其他主要特色包括：

(1)有助於降低整體系統耗電量的功能

    除了在運作模式下70uA/MHz的耗電量及啟用RTC + LVD時的0.7uA耗電量之外，RL78 MCU還支援名為「Snooze Mode」的新低功率模式。此模式在CPU為待機模式時支援A/D轉換及序列通訊，因此可大幅延長以電池供電之裝置的使用時間。

(2)內建安全保護機制

    RL78 MCU 結合多種內建機制，可符合電子裝置所需的標準安全規範(例如IEC60730)。這些功能包括快閃記憶體循環冗餘檢查(CRC)功能、RAM同位錯誤檢查、時鐘故障及頻率偵測迴路、A/D測試功能及非法記憶體存取偵測…等。

(3)業界標準開發工具

1 h+ B7 O# A4 T可用的硬體開發工具包括瑞薩電子的低成本E1晶片內建除錯模擬器，及IECUBE全功能模擬器，讓客戶能夠選擇最符合其除錯需求的MCU產品。目前計劃推出支援RL78系列及其他所有瑞薩電子MCU 的E1模擬器版本，以低成本為瑞薩電子產品提供更全面性的支援。

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瑞薩電子的CubeSuite整合開發環境(IDE)及PG-FP5快閃記憶體程式設計工具，可為應用軟體開發人員提供強大的支援。另外，瑞薩電子的合作夥伴公司亦將推出適用於RL78系列的各種硬體及軟體開發工具。

(註1) Dhrystone是一套用於評估電腦操作效能的程式。RL78系列的41 DMIPS效能值是使用Dhrystone 2.1標準測量之結果。

(註2) 目標值。

價格與供貨

瑞薩電子新款MCU RL78的樣品預定於2011年Q1開始供應，並預定於同年7月開始量產。到2012年的每月產能則預計達到1千萬顆。其價格將依產品的記憶體容量、封裝及pin腳等規格不同而有所差異。例如，內含2 KB快閃記憶體及256位元組(B) RAM、採用20-pinSSOP小型封裝的RL78/G12群組MCU，訂購一萬顆的單價為0.45美元；內含64 KB快閃記憶體及4 KB RAM、採用64-pin LQFP薄型封裝的RL78/G13群組MCU，訂購一萬顆的單價則為1.00美元。

(價格與供貨情況如有變更，恕不另行通知。)

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瑞薩電子率先推出業界第一顆整合智慧型手機近距離無線通訊（NFC）與安全性功能的微控制器
創新的晶圓封裝技術，實現0.22mm超薄規格


9 G+ H  `* [- N% y; K* h4 l4 A  D2010年12月20日，台北訊—先進半導體解決方案頂尖供應商瑞薩電子(TSE: 6723)率先於業界發表其微控制器（MCU）的第一項RF20系列產品－RF21S，在單一晶片上結合了近距離無線通訊（NFC，註1）控制器，支援 ISO/IEC 18092 國際標準及安全性要件功能，可用於消費性電子產品，例如智慧型手機及其他行動電話、筆記型電腦及PC周邊連接裝置。新的RF21S MCU不僅（1）在單一晶片上整合NFC控制器及安全性功能，具備金融交易卡、捷運卡及身分證的功能，並且（2）使用晶圓製程封裝（WPP）的晶圓封裝技術，因此實現了0.22釐米（mm）的超薄封裝。

% M+ O1 a, `: @* J3 @NFC可進一步應用於許多廣泛用途，包括金融交易、捷運系統付款卡、購票及身分證等，而且這項技術的市場預計在未來幾年內將會呈現成長趨勢。近年來，整合NFC功能的行動電話也以驚人的速度日益普及。然而，傳統設計組態必須有兩個獨立晶片負責NFC控制器及安全性元件運作，因此便需要減少安裝空間。此外，另一項需求在於與安全性元件通訊時，必須強化處理能力並解決延遲時間，以縮短捷運系統票卡閘門的交易時間。

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RF21S MCU 具備以下特色：

: x, E1 K6 {0 F# G7 K! E(1) 在單一晶片上提供NFC及安全性功能
  t6 G" ~& A$ o/ xRF21S MCU整合了瑞薩電子的RS-4安全性MCU、NFC控制器及安全性功能，在單一晶片上實現了金融交易卡、捷運卡及身分證等所需功能，因此能以更有效率的方式開發並評估系統。此外，預計也將對RF21S提供MIFARE™（註2）支援。單晶片的組態可省去與外部安全性元件通訊的需求，縮短捷運系統閘門所需的交易時間。RF21S MCU也整合能抵抗安全性威脅（如偽造及竄改資料）的措施，且預計RF21S也即將取得EMVCo安全性認證（註3）。
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0 i+ a: H7 J  L: {, Y(2) 超精簡封裝，節省安裝空間
) \, H2 u( S! W8 Z6 n隨著行動電話所結合的功能逐漸增多，安裝半導體裝置的空間也日益有限。為了因應此問題，RS21S MCU採用瑞薩電子的獨家封裝技術，達到超薄外觀規格（封裝厚度：0.22mm），為行動電話及其他薄型化裝置提供更為實際的安裝設計。
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6 Z' b9 Y! ?5 ?1 N/ g9 }$ d- R/ ?(3) 軟體支援
瑞薩電子計畫為行動電話等裝置的開發人員，供應實作NFC功能所需的搭載軟體內嵌式裝置（通訊程式庫、主機控制介面（HCI）等）。瑞薩電子參與由NFC論壇（註4）所舉辦的「plugfest」互通性測試活動，並傾全力開發及提供能讓客戶放心使用的軟體。而主機所要求的中介軟體，如基頻處理器及應用程式處理器，亦可向協力廠商取得支援。

! H; `2 }4 O' H: ^8 T% y: K瑞薩電子將繼續開發並供應RF20系列的新MCU產品，以因應不斷演變的市場需求，包括搭載大型記憶體容量、更多周邊連接功能、甚至可達高階應用程式更佳效能與功能性的產品，以及低階應用程式的低價位產品。

  t2 ?/ z  F9 `/ o. S' m2 ]（註1）近距離無線通訊（NFC）是一種使用13.56 MHz頻帶的短程無線連線技術。
! u- V/ i. f- |* Q* v（註2）MIFARE 為NXP Semiconductors 的註冊商標。
（註3）EMVCo由American Express、JCB、MasterCard 及 Visa所擁有，用於管理、維護及強化 EMV 整合式電路卡規格。
, L; a' y# _- a, f（註4）瑞薩電子為 NFC 論壇贊助商之一。
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) C- B4 u9 |+ w( H8 Q價格與供貨
瑞薩電子新推出的RF21S MCU樣本預計自2011年3月起開始供應，建議價格為US$5。預定2011年7月開始量產，並於2012年1月達到每月100萬顆的合併出貨量。

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瑞薩電子推出新高壓電源MOSFET產品 約可減少52%的導通損失
2 x; X3 `" W5 a; U4 z7 W採用高精密超結合技術結構 減少液晶電視及 PC 伺服器的耗電量

2011年1月24日，台北訊—先進半導體解決方案頂尖供應商瑞薩電子(TSE: 6723)宣布推出能為電源供應器提供超高效率的高壓N-channel電源金屬氧化半導體場效電晶體（簡稱：MOSFET）產品--RJK60S5DPK。新的電源MOSFET能減少PC伺服器、通訊基地台以及太陽能發電系統的耗電量。

8 \) y/ z6 u& @8 r8 O4 s& {新推出的RJK60S5DPK電源MOSFET極適用於電源供應器的主要電源交換電路，用以將交流電(AC)轉換成直流電(DC)。RJK60S5DPK為瑞薩電子高壓電源MOSFET系列的第一款產品，採用高精密超結合技術結構（附註1），達到電源MOSFET 設備主要整體效能指數的優值（FOM，參見附註2）標準，與瑞薩電子現有產品相較下，效能約可提升90%。
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# }1 e* w5 W: K* d$ V  S, t' P: n近來對於提高電源供應電路效率以減少耗電量的需求與日俱增，而且雖然平面電視、通訊基地臺、PC 伺服器以及太陽能發電系統的高輸出交換電源供應的電源轉換效率已有所提升，但對於低耗電量的需求仍非常強勁，也因此帶動低導通電阻（附註3）電源MOSFET產品的市場需求。然而，使用傳統的平面結構所能達到的改良程度有限，因此瑞薩電子便發揮在電源裝置科技領域的專業能力，開發出採用深槽製程的高精密超結合技術結構，得以產出低導通電阻的MOSFET產品。

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新 RJK60S5DPK 電源 MOSFET 的主要特色

(1) 領先同業的低導通電阻
新的 RJK60S5DPK電源MOSFET 可達到150毫歐的導通電阻（mΩ，ID標準值=10A，VGSS=10V），較瑞薩電子現有的電源MOSFET產品低 52%，如此可減少電源轉換時的損失。

6 [4 n0 s# h9 v1 j7 Q(2) 高速交換
9 n3 C6 F4 Q, h* {- r( f瑞薩電子的新電源MOSFET具備僅6nC（nanocoulomb，ID標準值=10 A，VGSS=10 ）的驅動電容（閘極電荷Qgd，參見附註4），可影響交換速度，相較於瑞薩電子現有產品可節省80%的轉換電荷，因此能透過高速交換提高電源轉換效率。
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新的RJK60S5DPK電源MOSFET封裝大小與TO-3P標準封裝相同，且pin腳的配置符合產業標準，因此可輕易安裝於使用傳統平面MOSFET設備評估的交換電源供應電路板。
高精密超結合技術結構的電源MOSFET系列產品所能提供的每單位面積導通電阻，約較瑞薩電子現有平面結構系列產品低80%，因此若導通電阻維持不變，則可減少晶片面積。瑞薩電子利用此一優勢，預計於未來將推出各種小型封裝規格的電源裝置產品，例如以TO-220FL(10 mm × 15 mm)封裝產品提供使用TO-3P (15.6 mm × 19.9 mm)的現有封裝產品效能。

) I) p; x( R- o3 F此外，瑞薩電子認為平面電視、通訊基地台以及PC伺服器都將因低耗電量交換電源供應器產品而受益。瑞薩電子也計畫針對此類用途，行銷一系列的新超低導通電阻MOSFET產品。瑞薩電子計畫利用新RJK60S5DPK電源MOSFET的先進技術，擴大高壓電源設備的事業規模，並針對各特定用途開發各種新產品。

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（附註 1）超結合技術結構：
此乃電源MOSFET結構組態的一種，有別於一般平面結構，能降低導通電阻而不減少設備的電壓精度，因此可降低每單位面積的導通電阻（關於導通電阻，請參見附註 3）。

（附註 2）優值，簡稱FOM：
此為電源MOSFET 效能的指數，以導通電阻 (Ron) 乘以閘-汲極電荷電容(Qgd)所得之數值表示。
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（附註 3）導通電阻(Ron)：
電源MOSFET 運作時的電阻，電阻值越低表示導通損失越少。

（附註 4）閘-汲極電荷電容(Qgd)：
使電源MOSFET 運作所需的電荷，數值越低表示交換效能越快。
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& I5 U# V1 K4 O( e1 x* z! ^關於新RJK60S5DPK的主要規格，請參閱附件。

價格與供貨
瑞薩電子新RJK60S5DPK電源MOSFET樣本現已開始供應，建議售價為US$5。預計將於2011年4月開始量產，並預估至2011年10月每月總出貨量約為50萬顆（價格與供貨如有變更，恕不另行通知）。