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3000萬元RMB尋求汽車用IGBT晶片及模組的研發與產業化
一、主要內容:
5 D v3 }& g& h7 b2 l0 w+ O•汽車點火器用IGBT單管
& m7 C- y( I9 @+ E/ b針對汽車點火器應用的要求,自主開發IGBT晶片、單管的關鍵技術及產品並實現產業化:包括 IGBT單管的設計技術、關鍵製造工藝以及批量生產技術等。
% p+ G0 c- ^; n3 |: U•新能源汽車用IGBT晶片及模組
* Z; X- y3 K6 \/ w1 V. w+ e針對新能源汽車領域(混合動力汽車和電動汽車)應用的要求,自主開發IGBT晶片、模組的關鍵技術及產品並實現產業化:包括 IGBT晶片及模組的設計技術、關鍵製造工藝以及批量生產技術等,核心技術必須具有自主智慧財產權。$ O! U" W6 |! N& ^- `
二、技術指標/ D7 o& T y, X* h, d* z/ @
•汽車點火器用IGBT晶片及單管
) t7 ` U$ O& u; r7 b5 b1 K. f主要參數名稱 符號 IGBT晶片、單管參數值
, Z* s, o" ^$ S, d; i集電極-發射極電壓 VCES 400-600V
# T1 o4 g8 q" D9 M" ~集電極直流電流 IC 10-40A" H1 B9 h- n( ^3 W4 m
集電極-發射極飽和壓降 VCE(SAT)) ≤2.0V9 |5 I) P! e. x3 c0 w3 A
•新能源汽車用IGBT晶片及模組
9 d4 B3 r* C; u9 K& U1 j \主要參數名稱 符號 IGBT晶片參數值 IGBT模組參數值% S8 W+ K* L, H$ o' g
集電極-發射極電壓 VCES 1200V 1200V9 U# \' h1 u/ e( h
集電極直流電流 IC 100A 800A9 I5 Z$ K; {( x, K3 b" s
集電極-發射極飽和壓降 VCE(SAT)) ≤2.5V ≤2.5V
8 P( e. o/ a$ y4 m6 Q三、經濟指標! e; A0 S: g: X* Q0 F/ }
•汽車點火器用IGBT單管:完成IGBT晶片2萬顆及1萬個IGBT單管的生產、銷售,實現主要經濟指標要求。生產的汽車點火器用IGBT單管裝車100台以上。
- d' H. B# o' O: G•新能源汽車用IGBT晶片及模組:完成IGBT晶片8000顆及1000個IGBT模組的生產、銷售,實現主要經濟指標要求。生產的新能源汽車用IGBT模組裝車30台以上。
3 L l# n4 S3 d- w4 x" s v' R, F5 D' n
8 q; l4 ?' r! Y9 K
* S1 \1 @/ V, f/ [0 a+ D合作面議。能者與意者請email研發簡歷與chip123聯絡。 |
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