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關於新的SiC模組
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美高森美新的工業溫度SiC功率模組具有多種電路拓撲,並且整合在低側高封裝內。新模組產品系列中的大多數產品使用氮化鋁(aluminum nitride,AIN)基底,以提供與散熱器的隔離,從而改善到散熱系統的熱傳遞。1 c0 }* p# T, Q7 Z/ s7 d" w
. I1 w A- E) U+ Q+ j. U, ]1 j其它的額外功能包括高速開關、低開關損耗、低輸入電容、低驅動要求、低側高和最小寄生電感,能夠實現高頻率、高性能、高密度和節能的電力系統。
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; [# c' y0 x0 [# g新工業溫度模組系列包括以下參數和元件:4 M" r3 U! g! |, O6 e! O% o! u2 V7 G
: j. ~5 r" F7 u• 1200V升壓斬波電路(boost chopper),額定電流為50至100A (元件編號:APT100MC120JCU2和APT50MC120JCU2)6 W# @% {. z8 `8 R1 I2 a' h9 B
• 1200V相臂(phase leg)架構,額定電流為40至200A (元件編號:APTMC120AM08CD3AG、APTMC120AM20CT1AG和 APTMC120AM55CT1AG)
' g! |- x% E, O6 t* u( Y0 l• 600V中性點箝位架構,專用於太陽能或UPS應用的三級逆變器,額定電流為20至160A (元件編號:APTMC60TLM14CAG、APTMC60TLM20CT3AG、APTMC60TLM55CT3AG和APTMC60TL11CT3AG)
$ N6 O2 `. v9 n0 w7 ]• 中性點箝位架構,600V/1200V混合電壓,額定電流為20至50A (元件編號:APTMC120HRM40CT3G和APTMC120HR11CT3G)
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美高森美的SiC產品組合包括離散和模組封裝的蕭特基二極體,以及提供標準和客製化配置、採用SiC肖特基二極體和IGBT或MOSFET電晶體組合的功率模組。 |
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