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原帖由 monkeybad 於 2007-8-1 04:50 PM 發表 0 Y) @# b7 ^2 d, K$ a ?
之前有討論過有關CMOS Pierce crystal osc
$ t. i% s* ^& S+ t* {' |; s x現在我的模擬好像有點問題 想請教一下9 M7 G2 z, Y& @: S
圖一為我簡化後的Model 基本上 就是一顆CMOS Inverter 然後並連上一個偏壓電阻
& C+ J+ x+ g- L3 G. J o6 U然後a b兩點再分別接到Crystal的兩端
0 V0 `$ ~: Q% |" z/ dCryst ... - u7 G' |/ U" b$ `0 i
. w0 f1 C) E% l5 v, S6 i5 H) F
因為最近剛好也要做一個 1MHZ~10MHz 的 X'tal oscillator, 最近這兩篇討論對小弟
- A& [0 _. p% D \3 B1 H+ O幫助很大..不過在模擬上有遇到問題, 怕是自己觀念有錯, 想請各位前輩指導...
0 @3 H/ ?0 K: F$ o# t: D! O& ^% v7 c! F. G0 S5 ^
關於負電組的部份, 老實說是第一次看到這個觀念, 研讀了這兩篇討論串所提供的一些
: u' r, y. ^& Y3 O+ B8 P3 A文件, 總算有了一點點感覺...在推導的部份 monkeybad 大大提供的 Philips 那份文件
& f; m6 H# w: ?8 b% K有詳細說明, 裡頭推論出滿足負電阻條件時 inverter 最小的 gm 值, 不過就是在這邊
' w1 p' j$ K5 W8 j1 j+ u遇到一點問題...
- s% \' b6 B" M
: E, K g/ ^5 w! b0 f7 B我模擬的條件為:
% q+ l& s/ ]1 N10M X'tal model 為: RS=50, CS=0.004pF, L=60039.21315uH, CP=5pF (前人留下的..)
7 Y1 }6 `3 S C( q. t0 }Inverter size 為: WN=3u, WP=10u, L=0.5u, 偏壓在約 1.65V (VDD/2)% U; S; y+ T9 p
RP 為 2E6
: k+ o6 ]2 q6 O' D, ^& }1 ACX1=CX2=10p (X'tal兩邊的負載電容)# s$ d ~7 B2 h; O# z W
& g0 |, @3 v5 {( y) G2 X假設先不考慮 Cpar 的效應, 根據公式算出來的 gmmin 約為 115u 左右, 用本篇一開始 - V! M4 h) H) Q4 h# f
monkeybad 大大提出的方式去模擬, HSPICE 模擬出來 NMOS 的 gm 約為 521u, 是理論& j$ i8 {4 Q% T7 ~4 R+ i: l
最小值將近五倍, 然而 AC 分析看到的阻值卻是正的(請參考附圖), 我試著調整參數, 發現! Q) h; Y# z% x7 z
將 CX1, CX2 以及 RP 縮小才會得到類似 monkeybad 大提供的圖 (整個從1MEG到10MEG8 Q1 w8 s0 \! t/ r/ ^# v
的頻域都是負電阻..) 不過阻值也不大..
' P! p& P s5 Z, e5 a+ k3 I- |! K5 b0 v
另外一個問題是, 根據公式, RP 如果愈大, gmmin 會愈小, 所以我自己的推論是如果 RP 愈大,
: ?$ N& ~1 v. M6 }' k" @1 ^- e模擬結果應該會往"更負"的那邊移動, 不過我用 50E6 模擬結果卻與預期完全相反... * ~9 u1 v$ v: s; V5 ?
1 C% H1 m A* A& y- d5 T* F6 m
研究了兩天實在不知道是哪邊弄錯了, 煩請前輩們指導一下..謝謝.. |
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