版图设计基础培训（很有用）！

王迎草凡@FB

正在學習的學生路過～
9 t3 h, e  m: D) x( T7 n. W

蔡廷暤@FB

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AaronChen@FB

感謝謝大大希望對我有幫助~~

930709

想看本內容,謝謝!!
& V- t0 D* v" w0 h! \!!
# `2 A* V( U0 ^$ d感謝分享~~

alienwarejian

太多太多人（甚至某些论文）将亚阈值区和饱和区的概念弄混了。。。。。。   MOSFET的Vgs的大小将MOS管分为三个工作状态：weak inversion（弱反型，或者称亚阈值），moderate inversion（中间反型，部分属于亚阈值）和 strong inversion（强反型，注意名称！这个不叫饱和区）
  \& ]+ s/ F' G9 J, K# w0 T   这三个工作状态根据Vds的不同，都可存在 线性区，非线性区但未饱和，还有饱和区（不同的Vgs都存在饱和区！只是对Vds的要求不同！）
* E5 G" @) o* J/ K8 z  z6 Y   
+ S( a! j0 F. a- p4 G   如果是要进行低功耗的设计的话，将管子置于亚阈值区是最好的，并且要饱和！亚阈值区一般的说法是Vds>4kT/q能达到饱和状态。
   亚阈值设计一个非常大的问题是对于IR drop比较敏感，因为亚阈的饱和电流跟Vgs是指数相关的，而强反型只是平方相关，如果是速度饱和，那就只是线性相关。所以IR drop造成的电流波动是你的设计所需要注意的。

Technology

bi-coms 謝謝好心人分享這個檔案 感恩~

# ]- {; r/ [3 @4 i4 E( ^) v9 G1 v+ b

adjamie

謝謝分享!!
學習中,非常需要~

KuiyouLin@FB

剛踏入這行
8 ]( N% E) H2 d想找些教學資料參考
( u5 s: X( ~% x. E% e6 |8 H謝謝大大分享

crazydance21

    謝謝分享!參考看看
% y8 W# k9 z" o

何建頫@FB

謝謝分享
看起來是一份很基礎的講義

pigway06

感謝好文章的分享，目前正在尋找一些教材資料。
2 E% d% _$ ?) q. y  A: @2 E; `

mattwu0207

感謝大大提供,   正好工作需要用到
% S* o: K# t3 Z- d5 B

unclemario

没有经过系统学习，下来看看。

kyobaby111

感謝大大的分享
. Q* w" e) O" r2 I" C2 A/ p希望能對我這個菜鳥有幫助

dxzxc124578

最近在layouy電路 來看看學習

kpo0806

謝謝樓主提供此教材，很有幫助
7 k) c/ L1 i% E* ^( D

pomu

感谢分享，刚入行layout，望大神指点
8 [& }2 d) F& t0 F! T+ \

spacedpp

& [6 r- M( ?5 [謝謝分享,
6 i; U% }* ]1 c- w* H$ n; F研究看看...希望有幫助＠＠

james8627

交流交流 百利無害 有資料加減看 看能不能在內容內提取自喜需要的資訊

z8030634

感謝分享，layout可以再次提升能力