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樓主: tommy01
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[問題求助] 請問大家這兩張圖哪一張較好

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21#
發表於 2012-3-14 01:34:22 | 只看該作者
左右感覺都不錯耶....# A6 I- S! L! b# e1 D
感謝11樓的圖
22#
發表於 2012-3-14 17:31:37 | 只看該作者
這兩種平常都有畫到,感覺不出有什麼差別...
$ W6 ~9 J: i8 i通常都是以接線方便做選擇.... ..., r5 I+ _2 u: Q* ]  ?# w) D" y1 L' z
vic 發表於 2012-2-3 07:31 PM
# s1 c1 J9 d" n

: n& V, ]% I4 K, h# S
2 F% t3 m+ \2 }* E/ D3 I 我同意VIC的說話!要看你當下做的佈局各種因素來考量! 不見得右圖會不好!
23#
發表於 2012-3-26 14:34:51 | 只看該作者
感謝分享!!~加油~加油!感謝分享!!~加油~加油!
24#
發表於 2012-4-13 10:58:41 | 只看該作者
个人不会用右边的画法,至少感觉别扭= =
25#
發表於 2012-4-16 10:02:13 | 只看該作者
+1我也認為沒差,因這二張圖VIA 都是打滿的,因METAL1 阻值很小,所以電流跑的速度很快,理論上會等效平均流過Drain端,但是GATE length 過大或是高壓製程 ,就說不定了.
, ?! e8 X3 a  E7 X4 A* I1 E: u4 a4 F: h7 K/ Y; R% O: e
一般LV MOS 都還好ㄌ
26#
發表於 2012-5-2 08:45:54 | 只看該作者
雖然左邊感覺好點  電流較均勻 可是覺得沒多大差別
27#
發表於 2012-5-8 10:30:26 | 只看該作者
不會差太多,重點CONT 是都有打到滿!
28#
發表於 2012-5-12 21:30:12 | 只看該作者
看你之後的線路!!在看你要選擇哪一個?
29#
發表於 2012-5-18 04:10:29 | 只看該作者
如果有理論基礎作佐證,會更有說服力。
30#
發表於 2012-9-3 17:22:53 | 只看該作者
左边会好点吧,电流均匀啊
31#
發表於 2012-9-4 11:08:20 | 只看該作者
嗯 ~ 感覺不會差太多.. metal 粗細比較重要..
32#
發表於 2012-9-9 03:25:41 | 只看該作者
學了一課!! 感恩~~~!!
33#
發表於 2012-11-30 02:47:55 | 只看該作者
應該都一樣吧 - I9 m. w( R  G: Z5 O
想法跟17樓的大大一樣
34#
發表於 2012-12-4 14:49:38 | 只看該作者
回復 20# vic
  _5 ?/ v4 ?. y/ u; b. A, q% C, L5 t6 v
4 E" d+ d% E/ \- C* ?# z  t( n. l- X3 z9 O7 K
    在數位電路理沒差,在類比電路裡(尤其是driver & ESD)兩張圖都不行
35#
發表於 2013-4-17 16:39:17 | 只看該作者
個人觀點:3 C/ U. o9 V& `; |! b* B/ Z
LAYOUT的形式,得看用在哪,什麼用途?" `, X! x# l0 G( H( i( A
例如:DRIVER,左右都不行,大的MOS,Source與Drain出線的寬度與方向可能都不對,放在ESD裡,也都不合格。
9 ^' o4 l6 B9 D4 n: k; n% Y一般設計單存看特性而言,似乎右邊比較好,但是若需連接的點在上方,總不能還從下面出線往旁邊走,再往上走吧~沒那吹毛求疵的,若是Design要求,真的得檢討他的設計了。
36#
發表於 2013-6-5 14:45:31 | 只看該作者
感覺是左邊真的Layout 出來的特性會比較好0 q- \) Z/ u! [$ B4 r* |" U3 U

6 }4 I0 @+ Y% E' I- {+ B但是 希望 你右邊Drain端的 Metal 可以打滿
- p1 J' M/ D' t- h! C5 D+ }  H' P% x6 s
這樣特性應該會比較佳
37#
發表於 2015-8-24 07:59:46 | 只看該作者
我感覺左邊的比較好
! O+ ~0 n8 [8 i2 w電流比較會流過
' L5 t" }, P4 ^! H+ u
38#
發表於 2016-9-14 13:40:42 | 只看該作者
又多了一個知識囉!!!
' y: ?5 h7 w$ o  ]7 S& |謝謝妳無私的分享!!!
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