版图设计基础培训（很有用）！

王迎草凡@FB

正在學習的學生路過～

蔡廷暤@FB

~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~`

AaronChen@FB

感謝謝大大希望對我有幫助~~

930709

想看本內容,謝謝!!
& L2 p/ {: ~( A+ m!!
感謝分享~~

alienwarejian

太多太多人（甚至某些论文）将亚阈值区和饱和区的概念弄混了。。。。。。   MOSFET的Vgs的大小将MOS管分为三个工作状态：weak inversion（弱反型，或者称亚阈值），moderate inversion（中间反型，部分属于亚阈值）和 strong inversion（强反型，注意名称！这个不叫饱和区）
5 I' w8 x8 y2 o, {   这三个工作状态根据Vds的不同，都可存在 线性区，非线性区但未饱和，还有饱和区（不同的Vgs都存在饱和区！只是对Vds的要求不同！）
8 z* d% o$ c4 a& c6 f   
   如果是要进行低功耗的设计的话，将管子置于亚阈值区是最好的，并且要饱和！亚阈值区一般的说法是Vds>4kT/q能达到饱和状态。
  x* D3 _+ h  a& y% i; v   亚阈值设计一个非常大的问题是对于IR drop比较敏感，因为亚阈的饱和电流跟Vgs是指数相关的，而强反型只是平方相关，如果是速度饱和，那就只是线性相关。所以IR drop造成的电流波动是你的设计所需要注意的。

Technology

bi-coms 謝謝好心人分享這個檔案 5 \: x0 x+ c9 `( a1 Y感恩~

+ T# L3 i( I) v; K. I, p

adjamie

謝謝分享!!
  o" p# G& s, n8 I學習中,非常需要~

KuiyouLin@FB

剛踏入這行
. F' a2 p" `& {: T. d想找些教學資料參考
謝謝大大分享

crazydance21

    謝謝分享!參考看看
* U0 t; w& L! B' o, Q* G% }

何建頫@FB

謝謝分享
看起來是一份很基礎的講義

pigway06

感謝好文章的分享，目前正在尋找一些教材資料。
/ R9 g! T5 m7 t4 ]

mattwu0207

感謝大大提供,   正好工作需要用到
2 d0 M( [7 [5 @) }* |2 S# L* O

unclemario

没有经过系统学习，下来看看。

kyobaby111

感謝大大的分享
# q) q: J9 S' A2 O希望能對我這個菜鳥有幫助

dxzxc124578

最近在layouy電路 來看看學習

kpo0806

謝謝樓主提供此教材，很有幫助

pomu

感谢分享，刚入行layout，望大神指点
5 T! f5 ^9 D' ]

spacedpp

謝謝分享,
研究看看...希望有幫助＠＠

james8627

交流交流 百利無害 有資料加減看 看能不能在內容內提取自喜需要的資訊

z8030634

感謝分享，layout可以再次提升能力
. Q4 a/ L7 c/ M1 Z" G