Sansen讀書會...

賴永諭

slide 154
A gain of 1000 is expected.
=>應該是 A gain of 100 is expected.

賴永諭

Slide1524:
  `6 p6 e9 o" R5 }% N  Z& |Slide 0128 Vout/ic=1/2gm3ro1
0 _4 M4 }/ |. d
補充內容 (2019-1-8 11:06 AM):
5 F) ?* {- {) r4 P; LSlide1524: iout/ic=1/2gm3ro1

$ h! J9 O: Q; F1 A3 ]& ~/ {補充內容 (2019-1-8 11:08 AM):
' `2 x" I8 T( F2 y3 q4 B9 v9 {$ rSlide1525: iout/Vinc=1/RB*1/2gm3ro1

賴永諭

Slide 1312:
Input shunt: Current mixing輸入電阻變小
) _. o- t, x+ x2 \8 T1 e/ O9 U: sInput series: Voltage mixing輸入電阻變大
Output shunt: Voltage sampling輸出電阻變小
Output series: Current sampling輸出電阻變大
6 J4 c5 g3 J9 S. E2 H  L$ A$ P

賴永諭

slide 0731
需要4各bias 點~
4 l+ O/ s8 A/ `, [1 @! }  ?
side 0732
: k0 R& k: {: N9 g+ ^% b4 L* t只需要3各bias 點~
2 D+ V% V$ y8 D" l5 lM2 D 端的極點比slide更遠

賴永諭

slide 097
. x6 d) b" H: u3 E2 e5 WIt is the output gm3 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW
7 _6 d6 g4 A. h4 ldepending on the phase margin required.
$ _  y* o+ r; N% z) _/ m=> 更正
It is the output gm2 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW
depending on the phase margin required.

賴永諭

賴永諭 發表於 2010-7-13 03:49 PM
回復 32# tuza2000

( Z) o5 q, o- u& c上面說明有誤～
實際上左邊diode connect pmos gate 與右邊M6相接
! y) ^* F) Y: S

賴永諭

Slide 0346: Input M2 base, OUT M3 base(Series- Series feedback)
) F; `& P- h, G- d0 C2 {- V) aCurrent sampling, Voltage mixing; 增加輸出電阻, 減少輸入電阻
所以Rm增加beta

賴永諭

Slide 2264: gm max=1/2(W*C1*C1/C3)
* Q( V! h) H6 U: y8 {Ref: silde2219
8 a' S. D( t$ T0 JStart-up of oscillation 可知

賴永諭

Slide 025
/ N! Q1 }; K" l+ l# ZNoise will be explain in detail in Chapter 4.

賴永諭

slide 0444
# J0 j, n) R/ L$ E9 l7 P' ^Noise of a current mirror with series R:
前面的R小於1/gm時, 為什麼iout noise 隨的電阻增加而變大?!
還是只是示意圖來說明, 此時的電晶體noise 是大於電阻的noise~~~
/ x. m1 I! `) `謝謝~~幫忙回附一下

賴永諭

slide 0513
  r. l" y: b2 Y1 d2 \4 m分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下
1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。
9 E' W& \5 A  P9 w8 Q3 A/ C. ?2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。
2 e' K( K" |" y4 ?3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta；只有DC gain=1/beta。

賴永諭

slide 0513
7 ~  ?, V6 Q/ ?分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下
) ?; l- k" G. {+ z+ ?! o. ?1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。
2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。
9 @1 _' }" E9 a8 p& z4 w3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta；只有DC gain=1/beta。

賴永諭

slide 2222
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)

=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)

賴永諭

slide 2222
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
: V9 b+ i9 m7 z
9 o. E" V5 G5 g5 c* O& c8 Q, \=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
9 c. a' l, {3 [& k7 i1 u用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
. x' k: `: n5 R3 @

賴永諭

slide 2222
, ~# u4 V1 m# M0 M+ cVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
$ F1 v% h- s4 G$ x; D
" K6 R1 D0 s: n) @=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
0 y- d; c; \, h- Y7 n用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
, n7 M( P9 E' h3 z7 V4 m$ l所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)

賴永諭

slide 2222
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
: s. r5 E7 o0 _4 c6 Z- D
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
. A: L5 z6 @4 S0 I. {3 M, Q( `3 V用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)

賴永諭

slide 2264 Calculation of gmA
9 \3 m: o( D% d. S  W  K3 q
gmmax 應該是C1WC1/2C3
) E* S+ A5 D0 H) l8 H$ F  I# t
=>ther/2=gmax/(Ceff x ws)^2可推算出來

賴永諭

賴永諭 發表於 2024-3-4 04:01 PM
slide 2222
. H. w: e0 N! l8 d5 e3 L- q! b4 [Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)

1 y. m+ z% p3 Z7 l# ogmA~ 4RsCL^2Ws^2
7 ?  k2 G* p2 ~( t  [and 4WsCL^2/QCS
  m6 P% H) c7 w  a/ R/ Z' f  h
% u3 F: p1 Y2 q8 \* v

賴永諭

RIP

; V- n: x; w5 W, I' nIn Memoriam : Willy Sansen (1943-2024)

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