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提供一個之前用的方法, 0 d2 Z, f3 E$ S3 e' n( V
由MOS飽和區電流公式(以NMOS為例), ID=KP/2*(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS)& O& M* o0 L9 R* i& z3 v! c
在沒有 body effect 的情形下(VSB=0), VTH=VTH0 是已知的,
2 b4 f. ]% L0 L8 c9 ?VGS, VDS 皆可以由使用者給定, 所以只要得到 lamda 値, 就可以反推出 KP 値4 J4 w9 Q: Y: j4 o* i. f
( o8 v1 d# x& P
由模擬求 lamda 的方法, 給定 VGS 及 W/L (L值不要給最小值, 避免 short channel effect)
, \1 T d' h/ Q+ k3 _在兩個不同的 VDS 下 [VDS1,VDS2] (必須滿足飽和區條件) 可得到不同的電流 [ID1,ID2]
5 s* C4 F" B4 |3 b1 k L( A由公式可得到 ID1/ID2 = (1+lamda*VDS1)/(1+lamda*VDS2)
: g9 s" L2 r5 n1 \) Y故 lamda = (ID2-ID1)/(ID1*VDS2-ID2*VDS1)
2 N e2 B& C* Y& a. ~2 z% ~. |$ G3 N" z% U: t2 v' q; J, {( a7 m
將得到的 lamda 値帶入先前的模擬值# h/ Z- S9 P* A' K
KP = 2*ID1/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS1)]
1 E# Q4 C3 a( x+ q9 T) t# w7 e: R = 2*ID2/[(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS2)]
6 q0 O% _! U, {1 x# A9 J, D0 h
, q7 B# }( |9 \+ J1 g之前用這種方法算還蠻準的, 你可以試試看 |
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