Sansen讀書會...

賴永諭

slide 154
A gain of 1000 is expected.
=>應該是 A gain of 100 is expected.

賴永諭

Slide1524:
4 g. @7 g4 U% v1 mSlide 0128 Vout/ic=1/2gm3ro1
0 ~. J' r3 Z7 }" A5 R$ G
6 F, Y* P! H2 y' _補充內容 (2019-1-8 11:06 AM):
6 D( {/ i2 K1 h3 F* ]" Q, CSlide1524: iout/ic=1/2gm3ro1

補充內容 (2019-1-8 11:08 AM):
Slide1525: iout/Vinc=1/RB*1/2gm3ro1

賴永諭

Slide 1312:
Input shunt: Current mixing輸入電阻變小
Input series: Voltage mixing輸入電阻變大
% D  k1 c6 R$ E3 hOutput shunt: Voltage sampling輸出電阻變小
Output series: Current sampling輸出電阻變大

賴永諭

slide 0731
需要4各bias 點~

side 0732
$ [! I& Y6 _7 ?0 `8 ~: X. O只需要3各bias 點~
M2 D 端的極點比slide更遠

賴永諭

slide 097
) M8 j" r( V9 Y7 GIt is the output gm3 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW
' c2 Q+ Z/ u4 ]" O. m/ pdepending on the phase margin required.
=> 更正
It is the output gm2 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW
; D6 x0 u5 h1 r* s$ A) Ldepending on the phase margin required.

賴永諭

賴永諭 發表於 2010-7-13 03:49 PM
6 G: Z' T- P/ e/ h4 q$ |回復 32# tuza2000

5 {$ {; X7 ]8 ^  e上面說明有誤～
7 c& s9 y6 U: r/ I5 U' }+ p) f實際上左邊diode connect pmos gate 與右邊M6相接
7 V! a- R+ j) \

賴永諭

Slide 0346: Input M2 base, OUT M3 base(Series- Series feedback)
3 f0 D; Z8 v) cCurrent sampling, Voltage mixing; 增加輸出電阻, 減少輸入電阻
* y+ l* r, a5 a& m) ?所以Rm增加beta

賴永諭

Slide 2264: gm max=1/2(W*C1*C1/C3)
Ref: silde2219
Start-up of oscillation 可知

賴永諭

Slide 025
# }; `$ P1 R5 z& b7 iNoise will be explain in detail in Chapter 4.

賴永諭

slide 0444
8 E% j$ b9 J+ @: ^$ B  p4 iNoise of a current mirror with series R:
( S  x/ r6 J+ u前面的R小於1/gm時, 為什麼iout noise 隨的電阻增加而變大?!
& ^0 Y) T3 l- z0 a3 c還是只是示意圖來說明, 此時的電晶體noise 是大於電阻的noise~~~
謝謝~~幫忙回附一下

賴永諭

slide 0513
分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下
& ^  }1 b; W" m/ S1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。
) \) i: d# w& K6 J0 J2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。
) Q8 s- l. d5 K, \2 F9 f3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta；只有DC gain=1/beta。

賴永諭

slide 0513
, S& z4 o6 ^8 {分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下
1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。
2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。
6 y/ V( m, B3 U" U5 R( t9 Q$ b3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta；只有DC gain=1/beta。

賴永諭

slide 2222
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
+ ]6 |: A, o5 N0 _/ K
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
2 L4 L; i8 ^" G& S8 I) c& l

賴永諭

slide 2222
( B4 Y0 C0 e( X1 d5 eVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)

=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
8 b" I; K( b7 F. n% o# M用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
0 }9 K, f! P, i9 j4 M* _所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
7 v9 F8 i& V" ~+ d9 l8 c

賴永諭

slide 2222
. I" l4 @6 s. ]/ O$ ~  @Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)

=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)

賴永諭

slide 2222
, q! k3 X) V4 Q- c' FVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
- {4 [* s6 @  n8 l7 `' @
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
' S# S8 ^2 g6 m! N所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)

賴永諭

slide 2264 Calculation of gmA

gmmax 應該是C1WC1/2C3
5 _, g. l& l  ^& A
=>ther/2=gmax/(Ceff x ws)^2可推算出來

賴永諭

賴永諭 發表於 2024-3-4 04:01 PM
slide 2222
( y0 @5 f# I, `$ P! oVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)

1 K3 S/ {, e  d7 V3 ~  _gmA~ 4RsCL^2Ws^2
and 4WsCL^2/QCS
6 N; {, S9 f1 v, y

賴永諭

RIP
- f# \  K$ U4 d: G  q9 P* c
In Memoriam : Willy Sansen (1943-2024)

https://bbs.eetop.cn/thread-968254-1-1.html

賴永諭

Design of Crystal Oscillators
8 P& Z9 k  {/ O: Fslide 2255補充資料：Two stage ring oscillator analysis

https://drive.google.com/file/d/ ... Hq/view?usp=sharing