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即使沒有畫出 反相器的 LAYOUT
1 l& {5 F" O/ R9 E3 [* l4 Y3 X. t$ j% ^% B
也會知道 好的反相器就是 rising/falling 時間 必須要盡量接近
$ G; I# F2 f0 Y) `" Q: J0訊號 通過反相器的delay 與 1訊號通過反相器的delay 的skew也要盡量接近
* g2 s4 `' j! ]# E0 R; b: M: _( _如果反相器用的SIZE大 要怎麼畫 FINGER
6 m/ D/ @4 D: ]) I, G) sfinger 要怎麼擺 會比較能夠抵抗 process variation
3 C( Q$ e" F' t" J0 S. p, g( Y+ t- k* H, l& o- g- _3 V, ~
其中 如6樓所說 PMOS 與 NMOS在 相同的 Length情況下
l2 l- |& [% tPMOS width必定是 NMOS width的兩到三倍! \1 j0 j7 o3 [, H+ c3 R+ G
, |5 f0 n: S& ^2 A" z
其原因是因為 不管是哪一家的製程
: {+ e1 e t, P$ \. C遷移率 (mobility) NMOS都是PMOS的兩到三倍$ V; b) D6 ]( Q0 Z j6 c( {
所以 PMOS 必須使用兩到三倍的 W/L" h# H* S6 ]( ^# s
才能得到 跟NMOS一樣的Idsat
1 v# i2 L/ u; m& G/ u+ v+ ^2 Z& S" U, T C, E' H3 Z) n$ l
這也反映了 其實LAYOUT也需要懂一點元件物理的觀念
]& \% R' M6 H這對找工作絕對是加分. |
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