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樓主: tommy01
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[問題求助] 請問大家這兩張圖哪一張較好

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21#
發表於 2012-3-14 01:34:22 | 只看該作者
左右感覺都不錯耶....7 b9 q, F8 @6 M/ p7 g4 v7 w( D
感謝11樓的圖
22#
發表於 2012-3-14 17:31:37 | 只看該作者
這兩種平常都有畫到,感覺不出有什麼差別...
/ Y  n# \7 u( n3 w" d: S通常都是以接線方便做選擇.... ...
. J/ D" H7 L$ t( A! a, L8 H0 ^vic 發表於 2012-2-3 07:31 PM
- U* T, n; R1 c6 @9 p+ a* I+ c; O) ?

% F& s( I# M! [  r( B7 K5 A3 I3 \
我同意VIC的說話!要看你當下做的佈局各種因素來考量! 不見得右圖會不好!
23#
發表於 2012-3-26 14:34:51 | 只看該作者
感謝分享!!~加油~加油!感謝分享!!~加油~加油!
24#
發表於 2012-4-13 10:58:41 | 只看該作者
个人不会用右边的画法,至少感觉别扭= =
25#
發表於 2012-4-16 10:02:13 | 只看該作者
+1我也認為沒差,因這二張圖VIA 都是打滿的,因METAL1 阻值很小,所以電流跑的速度很快,理論上會等效平均流過Drain端,但是GATE length 過大或是高壓製程 ,就說不定了.' N1 T5 r9 I! }- j6 ^7 W$ k. M
4 n) V3 k3 z% R. Y9 q+ k0 p
一般LV MOS 都還好ㄌ
26#
發表於 2012-5-2 08:45:54 | 只看該作者
雖然左邊感覺好點  電流較均勻 可是覺得沒多大差別
27#
發表於 2012-5-8 10:30:26 | 只看該作者
不會差太多,重點CONT 是都有打到滿!
28#
發表於 2012-5-12 21:30:12 | 只看該作者
看你之後的線路!!在看你要選擇哪一個?
29#
發表於 2012-5-18 04:10:29 | 只看該作者
如果有理論基礎作佐證,會更有說服力。
30#
發表於 2012-9-3 17:22:53 | 只看該作者
左边会好点吧,电流均匀啊
31#
發表於 2012-9-4 11:08:20 | 只看該作者
嗯 ~ 感覺不會差太多.. metal 粗細比較重要..
32#
發表於 2012-9-9 03:25:41 | 只看該作者
學了一課!! 感恩~~~!!
33#
發表於 2012-11-30 02:47:55 | 只看該作者
應該都一樣吧 % ?  N8 U* p& n% Y
想法跟17樓的大大一樣
34#
發表於 2012-12-4 14:49:38 | 只看該作者
回復 20# vic * S5 A! Z0 E8 V4 T: b+ }6 d! P3 k' x# Q

; b5 @$ b4 K  g' @, b0 b) N% J" t1 B
    在數位電路理沒差,在類比電路裡(尤其是driver & ESD)兩張圖都不行
35#
發表於 2013-4-17 16:39:17 | 只看該作者
個人觀點:
: N$ x- T* `, U( _LAYOUT的形式,得看用在哪,什麼用途?' g6 U: `) r4 h; g, O, D! t8 U) ~+ _
例如:DRIVER,左右都不行,大的MOS,Source與Drain出線的寬度與方向可能都不對,放在ESD裡,也都不合格。
2 Y1 S8 p5 T+ F5 T4 `一般設計單存看特性而言,似乎右邊比較好,但是若需連接的點在上方,總不能還從下面出線往旁邊走,再往上走吧~沒那吹毛求疵的,若是Design要求,真的得檢討他的設計了。
36#
發表於 2013-6-5 14:45:31 | 只看該作者
感覺是左邊真的Layout 出來的特性會比較好" i3 D. E' Y  }
4 ~: t' H. Z" w- {
但是 希望 你右邊Drain端的 Metal 可以打滿/ u- @' Q  Z9 t- ]4 V2 V- g

& e: ^0 N0 L! h/ R; V這樣特性應該會比較佳
37#
發表於 2015-8-24 07:59:46 | 只看該作者
我感覺左邊的比較好( l' A" q: U" p/ q. o4 Z6 a
電流比較會流過
: K+ B  G  w! b, r! Y# R
38#
發表於 2016-9-14 13:40:42 | 只看該作者
又多了一個知識囉!!!3 e$ @2 N1 ]7 z8 i
謝謝妳無私的分享!!!
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