版图设计基础培训（很有用）！

王迎草凡@FB

正在學習的學生路過～
- X4 u5 j( b% D* B9 ^3 X

蔡廷暤@FB

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- x; V% N- p' o1 W+ Q5 W9 P  P4 U

AaronChen@FB

感謝謝大大希望對我有幫助~~

930709

想看本內容,謝謝!!
+ K# _8 r6 s+ j1 K0 Q  m!!
感謝分享~~

alienwarejian

太多太多人（甚至某些论文）将亚阈值区和饱和区的概念弄混了。。。。。。   MOSFET的Vgs的大小将MOS管分为三个工作状态：weak inversion（弱反型，或者称亚阈值），moderate inversion（中间反型，部分属于亚阈值）和 strong inversion（强反型，注意名称！这个不叫饱和区）
! o$ c8 J  e1 M/ `* }   这三个工作状态根据Vds的不同，都可存在 线性区，非线性区但未饱和，还有饱和区（不同的Vgs都存在饱和区！只是对Vds的要求不同！）
   
: F8 S" Z0 y- U! d$ ]   如果是要进行低功耗的设计的话，将管子置于亚阈值区是最好的，并且要饱和！亚阈值区一般的说法是Vds>4kT/q能达到饱和状态。
% K3 q, M3 u7 Z% \7 X$ s1 m   亚阈值设计一个非常大的问题是对于IR drop比较敏感，因为亚阈的饱和电流跟Vgs是指数相关的，而强反型只是平方相关，如果是速度饱和，那就只是线性相关。所以IR drop造成的电流波动是你的设计所需要注意的。

Technology

bi-coms 謝謝好心人分享這個檔案 感恩~

& G* o& Q6 S9 D/ Q+ A! k7 V( _8 z

adjamie

謝謝分享!!
8 o- {9 p' h) ~9 `* k8 S5 d& o學習中,非常需要~

KuiyouLin@FB

剛踏入這行
& J3 I1 e$ X: B1 b7 V5 |想找些教學資料參考
# x5 m0 Y9 k7 j* {% [謝謝大大分享

crazydance21

    謝謝分享!參考看看
! L% O; Z2 ?/ z  I8 @

何建頫@FB

謝謝分享
4 f% e7 i! |, z8 C1 l看起來是一份很基礎的講義

pigway06

感謝好文章的分享，目前正在尋找一些教材資料。

mattwu0207

感謝大大提供,   正好工作需要用到
+ L7 Q8 y, O% C9 w0 U9 e5 {

unclemario

没有经过系统学习，下来看看。

kyobaby111

感謝大大的分享
希望能對我這個菜鳥有幫助

dxzxc124578

最近在layouy電路 來看看學習

kpo0806

謝謝樓主提供此教材，很有幫助

pomu

感谢分享，刚入行layout，望大神指点
/ D6 u# A3 q3 k4 r- ]$ v/ j

spacedpp

" v$ T0 S4 q- P" j8 d! ~謝謝分享,
研究看看...希望有幫助＠＠

james8627

交流交流 百利無害 有資料加減看 看能不能在內容內提取自喜需要的資訊

z8030634

感謝分享，layout可以再次提升能力
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