Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步,快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
樓主: 賴永諭
打印 上一主題 下一主題

[問題求助] Sansen讀書會...

  [複製鏈接]
41#
 樓主| 發表於 2015-12-11 15:01:21 | 只看該作者
slide 154* d6 H. @0 U' I) m
A gain of 1000 is expected.$ z, q% S1 e" p( c! H/ z
=>應該是 A gain of 100 is expected.
42#
 樓主| 發表於 2015-12-31 17:24:53 | 只看該作者
Slide1524:
1 ~7 o0 q+ f) D5 P# dSlide 0128 Vout/ic=1/2gm3ro1% Q, U8 A7 [5 Y' u8 t

+ f* k: {- ^  Z7 w9 g補充內容 (2019-1-8 11:06 AM):( }) r6 r! Y! T2 |, h6 h" F
Slide1524: iout/ic=1/2gm3ro1
) ^+ i4 Z- ]% g6 o$ j% L0 x$ L" }1 ?$ V& g8 x# |7 b
補充內容 (2019-1-8 11:08 AM):
  h/ ^( K9 M' i( C$ B7 l+ U9 dSlide1525: iout/Vinc=1/RB*1/2gm3ro1
43#
 樓主| 發表於 2019-1-8 20:10:52 | 只看該作者
Slide 1312:; V) C* n, y6 b; {- w
Input shunt: Current mixing輸入電阻變小- y# a5 h! F" Z- h* b
Input series: Voltage mixing輸入電阻變大
8 o7 d! `7 c' @  z1 ^Output shunt: Voltage sampling輸出電阻變小
5 i9 L7 B0 t# p+ {0 nOutput series: Current sampling輸出電阻變大
6 L, u! T2 X: ^0 r- \
44#
 樓主| 發表於 2019-1-30 11:14:37 | 只看該作者
slide 0731
% ~( ]" e. e) g( n+ m需要4各bias 點~
& ~1 F5 g7 z( q1 u. R- c4 g8 i$ w* [# B# n! r- N+ Q/ ^
side 0732! g' H* b* @% `8 t/ N
只需要3各bias 點~
& z8 {! E4 g1 D3 U) E6 v0 I/ o7 gM2 D 端的極點比slide更遠
45#
 樓主| 發表於 2019-2-12 16:46:01 | 只看該作者
slide 097
# c" g6 f/ d2 r; C5 @1 N: XIt is the output gm3 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW
  i8 T) Z% d! W; mdepending on the phase margin required.; n  P8 k, M. J2 k1 ~& `* r4 B! `7 ?: b1 Q
=> 更正" j% q' q3 M0 {9 }# f2 _
It is the output gm2 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW
, y: l/ h  x- F9 ?+ zdepending on the phase margin required.
46#
 樓主| 發表於 2021-9-1 00:36:01 | 只看該作者
賴永諭 發表於 2010-7-13 03:49 PM
& U  u$ Z1 G# {1 m. m' ]; G7 v回復 32# tuza2000
" @% ]9 |6 ?7 ^$ A
上面說明有誤~. _( d7 `6 o2 v  J8 G; C1 a
實際上左邊diode connect pmos gate 與右邊M6相接; Z& \4 F4 w' T- K. ]/ \
47#
 樓主| 發表於 2021-9-3 17:27:29 | 只看該作者
Slide 0346: Input M2 base, OUT M3 base(Series- Series feedback); ?; P3 M( E% t% _( Z# O5 {! j! ^
Current sampling, Voltage mixing; 增加輸出電阻, 減少輸入電阻# h: m  s( J& u% i8 r# L* A8 m2 }7 X
所以Rm增加beta
48#
 樓主| 發表於 2021-9-3 19:45:16 | 只看該作者
Slide 2264: gm max=1/2(W*C1*C1/C3); Z: f' v: ]7 H* `
Ref: silde2219
* G) J1 k6 |! ~: xStart-up of oscillation 可知
49#
 樓主| 發表於 2022-3-30 12:22:00 | 只看該作者
Slide 025/ b' A4 u# g6 |4 r0 v
Noise will be explain in detail in Chapter 4.
50#
 樓主| 發表於 2022-8-5 12:03:06 | 只看該作者
slide 0444& q8 y4 j: N4 m, k1 T8 U9 R
Noise of a current mirror with series R:; v/ a7 B  C3 F
前面的R小於1/gm時, 為什麼iout noise 隨的電阻增加而變大?!  D# S6 b: B2 x
還是只是示意圖來說明, 此時的電晶體noise 是大於電阻的noise~~~
5 D4 ^% ~! ^1 U8 T謝謝~~幫忙回附一下9 K( O4 C$ c, K+ V: D
51#
 樓主| 發表於 2023-11-10 17:05:44 | 只看該作者
slide 0513/ k; `+ g  K# o0 t' \% ~
分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下9 E1 ^$ W. [6 B
1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。; e; r, c0 T3 D6 m8 B1 v
2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。9 U# M6 a3 o0 m& Z8 I
3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta;只有DC gain=1/beta。
52#
 樓主| 發表於 2023-11-10 17:07:21 | 只看該作者
slide 0513
! f) n( K, e, _9 R5 ]分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下
  {) V( [7 |' P( Z1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。6 o7 a) G! {' ]7 r( R' x3 ^
2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。3 E8 r2 Q8 a& ?1 _
3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta;只有DC gain=1/beta。
53#
 樓主| 發表於 2024-3-4 15:59:46 | 只看該作者
slide 22229 j( ^! B* w* K/ }
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
+ H1 ]/ H, ~/ p/ u
7 ~: j6 r  Z, n( z6 ~* P' C, a=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
6 U+ E, f- b/ W用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
1 Y" L1 m# F1 A( a, H; N所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
* m! m* n5 ?# R2 M+ ?6 x
54#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:00:01 | 只看該作者
slide 2222, A8 C. a  G' u1 B3 N
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
4 X9 x7 t! \3 T7 u: \. k
% t% K1 y: {3 k- ^3 u5 h  }=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C26 Z9 h) S  E7 _7 Q) r$ z
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻3 U! n1 n: w* K3 Z2 s! A* ^7 V
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)+ m9 S$ R! w- `; \1 t) p6 L
55#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:00:53 | 只看該作者
slide 2222
. B' k! }7 H' Q* t' N6 @; TVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
  j% a, S- B( O& G: `& }) r8 w/ Y; u; h  _/ ^* e5 r! y; Q
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C20 M2 b. N5 {  l7 m& @8 ?7 e7 V6 }
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻' B8 }, u* z! `9 `1 H
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
) \! g  c1 [7 [6 D- O5 O
56#
 樓主| 發表於 2024-3-4 16:01:33 | 只看該作者
slide 2222
+ M" s% O- v3 c8 m; cVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
4 s& k; H  T: v+ }6 V+ K; p( F/ L
- p3 v" ^& L% Y& U; v8 ~=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
. c: b1 U4 a9 u5 A. r7 V: f: C5 ^用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻, K. j" |. o2 D8 P3 W* E, q: K
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2), z% r# n9 f9 q0 e$ |7 V
57#
 樓主| 發表於 2024-3-6 11:07:00 | 只看該作者
slide 2264 Calculation of gmA
8 n( i& u3 b1 X, K4 i( P* K$ J! l
# S; x: Z  l1 y  S7 D. }gmmax 應該是C1WC1/2C3
0 \% u+ N  I7 C( Y) Z
3 w3 `2 T" k/ l+ p0 T9 r  C: K& v=>ther/2=gmax/(Ceff x ws)^2可推算出來
58#
 樓主| 發表於 2024-3-7 17:51:24 | 只看該作者
賴永諭 發表於 2024-3-4 04:01 PM) o2 [- l: n' Z6 B3 v2 r/ r4 y
slide 2222
' {; {7 }% {  G% QVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
3 N4 {8 R  _3 E
gmA~ 4RsCL^2Ws^2* M; U( l1 u3 ]7 F8 d0 Q
and 4WsCL^2/QCS: C; B( l/ {2 D* [9 i

: V( G. z2 \. ~. c" [& R* n6 {& y1 B5 q: l, h6 i8 r
59#
 樓主| 發表於 2024-4-30 10:52:20 | 只看該作者
RIP , K! P. Q% J& p* k

. q( H5 W. _8 @: N3 LIn Memoriam : Willy Sansen (1943-2024)/ O  f7 |. a+ t# V4 M" Y; w

5 ~- g8 }! Y4 h% {) g* L& |https://bbs.eetop.cn/thread-968254-1-1.html
60#
 樓主| 發表於 2024-6-4 10:22:38 | 只看該作者
Design of Crystal Oscillators
( k& O; [( R/ h- [slide 2255補充資料:Two stage ring oscillator analysis3 x' r4 J! f. z# |& U% X6 D
4 w8 l- ^  }5 ?1 S2 R
https://drive.google.com/file/d/ ... Hq/view?usp=sharing) D2 H8 F( Z+ j
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-6-17 06:01 PM , Processed in 0.134517 second(s), 15 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表