Sansen讀書會...

賴永諭

剛剛看了一下Ch1...,好像有些許錯誤的地方哩...
& M( O4 z- ?5 X/ r5 dSlide 0129: gmb 電流方向(Bluck 接地時S->D,if Vbs>0, 電流由D->S)
Slide 0134&0136: 應該是VGST(VGS-Vt)~0.2 V
( [- F1 c8 ~* J4 }& t7 o- u 歡迎大家踴躍討論一下...剛剛開始閱讀

賴永諭

賴永諭 發表於 2024-6-6 11:16 AM
0 {  J. m& e) ~5 [& eTwo stage ring oscillator analysis文件上傳~~

Two stage ring oscillator analysis文件上傳~~
( J* E' j' e: p1 ~

賴永諭

Two stage ring oscillator analysis文件上傳~~

賴永諭

Update 文件~
; u2 o2 N% w- H+ V) t& u: r/ W# ]Two stage ring oscillator analysis

賴永諭

Design of Crystal Oscillators
slide 2255補充資料：Two stage ring oscillator analysis

https://drive.google.com/file/d/ ... Hq/view?usp=sharing
2 h: U- x) ?; C0 }2 ?* Y

賴永諭

RIP
0 ~, R9 @+ U9 i& L. y% x) d2 S
In Memoriam : Willy Sansen (1943-2024)
- v4 V: J$ Q: X2 M4 z1 S
https://bbs.eetop.cn/thread-968254-1-1.html

賴永諭

賴永諭 發表於 2024-3-4 04:01 PM
6 P9 ?5 D8 Y* R2 d6 Hslide 2222
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)

% U/ c4 L  A0 _+ ggmA~ 4RsCL^2Ws^2
( T" }! g) p9 Fand 4WsCL^2/QCS
1 M4 m  y8 s+ [- I, T

! m9 F; _: ]/ V6 g& l3 X0 d

賴永諭

slide 2264 Calculation of gmA
& \  w& [) M* f+ r; P' m+ N
+ w* V! x) S& u8 q8 X! wgmmax 應該是C1WC1/2C3
  s7 c$ p$ l9 f. K" A) b' g" ^
: H7 l$ C& g5 I+ {* O=>ther/2=gmax/(Ceff x ws)^2可推算出來

賴永諭

slide 2222
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)

$ e+ p6 a; x6 n# e2 l& Z. I" |: S=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
9 H! N4 H% i+ ?# \4 t& O( f  `所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
; T$ @: ]% F1 q6 N0 B" u. d6 j) O

賴永諭

slide 2222
+ H, D  Z  p. j, S, ]Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)

=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
  V& |; ?* f$ E  d4 s- J用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
2 f: H- f. F8 F0 z所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
& U0 q/ ~, K$ j* b  d9 P6 @  s

賴永諭

slide 2222
2 S! ~: c$ |8 i5 j' n8 RVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
& C6 a* L$ F5 D  P  B
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
% p2 D7 W  N' t3 c- G% [) I) i用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
/ o- z) ^# n( |' m; Q9 ~; o/ u所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)

賴永諭

slide 2222
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)

& M; D& }8 X4 r$ ~4 F* u: T7 Y=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
- n$ l! f. O5 t* Q用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
$ p4 u* c- B; S8 V, i3 _" [$ ^- B! M所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
2 x; l! J+ H/ Z" `0 q  a5 g% |/ `0 S

賴永諭

slide 0513
分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下
1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。
0 z1 ~8 `# `/ G7 V' K: t0 |6 d2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。
' v0 Q+ m' O3 l" D0 W3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta；只有DC gain=1/beta。

賴永諭

slide 0513
. g8 f! s+ e' g分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下
1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。
2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。
7 V' S, j5 x9 h0 |: _! g  G3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta；只有DC gain=1/beta。

賴永諭

slide 0444
, p0 P# G  e- Z& W1 rNoise of a current mirror with series R:
前面的R小於1/gm時, 為什麼iout noise 隨的電阻增加而變大?!
還是只是示意圖來說明, 此時的電晶體noise 是大於電阻的noise~~~
+ |8 Q1 L2 p+ V! d: H+ W9 T9 [謝謝~~幫忙回附一下
* E1 Z; G: I: v7 U- ~, j

賴永諭

Slide 025
0 E! [; w) F  F( Z3 \' LNoise will be explain in detail in Chapter 4.

賴永諭

Slide 2264: gm max=1/2(W*C1*C1/C3)
Ref: silde2219
Start-up of oscillation 可知

賴永諭

Slide 0346: Input M2 base, OUT M3 base(Series- Series feedback)
; k. d! b* m3 J# Y4 h8 jCurrent sampling, Voltage mixing; 增加輸出電阻, 減少輸入電阻
所以Rm增加beta

賴永諭

賴永諭 發表於 2010-7-13 03:49 PM
' A+ s; ?7 Q, d7 Z% W; f回復 32# tuza2000

3 g- Z' N8 F8 o5 M  |4 a5 L2 U上面說明有誤～
; m! x' P* D0 }9 B5 J% b& ^( P實際上左邊diode connect pmos gate 與右邊M6相接

賴永諭

slide 097
- |7 p; s. W  `. G+ oIt is the output gm3 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW
depending on the phase margin required.
=> 更正
It is the output gm2 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW
" r; C6 t/ B5 d. Q/ udepending on the phase margin required.