e-fuse?

fashion100

The information of eFuse is useful for me ~~~

kivv.zhou

The information of eFuse is useful for me

sam7186

回復 2# finster
9 |% V# V5 Q, \+ W2 s0 C, r

    感謝分享,最近剛接觸收益良多

andy2000a

e Fuse 就是FT TRIM 方式 因為 PACKAGE 後BANDGAP 電壓會飄 6mv (paper)   所以如BANDGAP RFE 要準到 1MV
6 R8 G1 o1 ~+ M' ]- \/ o& u9 V
% n; K% n  @( d0 B0 B5 E; p得如此
4 N. b0 m. C5 t/ P. G
5 N, ]5 b+ a0 x一般 使用 POLY FUSE 燒有RISK是萬一第一次沒燒斷變高阻抗就燒不了
2 {# O" W! _: ?" nMETAL FUSE 當EFUSE 是可以 但是  VANGUARD 本身有IP  有提到如果 每次READ 都留電流會慢慢燒EFUSE
+ K9 N/ p. r7 L9 M( u" H6 f
7 Z4 e/ x6 k3 Z. r/ C- a一般做法是POWER ON 先READ 後就不再去讀E FUSE 可降低問提
3 Z$ q6 @, ?, ]. P* Q) f2 \還有 FUSE燒 on  off  impedance 要有資料

VANGUARD 有

cchanglouis

感謝各位無私分享, 請問有無efuse SEM照片可分享.謝謝
3 j, @% |4 ?- W' [$ J
% l" a  N. U0 M7 D# uLaser fuse 可用高倍率顯微鏡看到..但願還沒看過efuse的..

memcad

回復 11# emcthomas
7 @6 ]0 M" r5 u3 A% c
1 M3 U9 c2 g+ a. w. X( ~2 j
    OTP工艺太贵了，目前用Poly fuse的多，注意trim电流要大于10mA以上，trim路径上的电阻要够小。

jackrabbit

感謝大大提供e-Fuse的資訊，學習到了！
$ W0 e. _9 m0 v7 m1 W8 l% E雖然公司也使用了OTP，但royalty貴的很，還是自己做e-Fuse比較實在 ...
' v. T  C7 R# j# zbillycsu 發表於 2013-1-24 01:54 PM

0 I: n2 a& N5 D5 @( ~' W
' T) H1 ?. g* S  J, o剛好看到這個討論
$ ^6 ?8 b0 G* D* o& a* @e-fuse自己做, 風險很高!! 光是 reliability 就是個問題~
/ @/ }+ V! |( I: _大部份的人都認為燒斷之後就是兩端沒接上的意思, no!
' U( l( f  ?  l8 n% E  Q/ v- B這個"斷"並不是真的就完全開路, 除了可能斷不乾淨之外
還有recovery的問題!
可能chip用了一陣子之後你會發現讀出來的值錯了, 原本斷的fuse又接上了!
這種事只有親身遇過才知道....
至於原理可以去查查 failure analysis 的書

前陣子剛好有機會跟某製程廠的IP部門副總聊到這個問題
0 e! i- m" h: ]+ p4 F7 a他也confirm了這點~
" m/ ?0 g/ u: A/ V' o' c$ K& U+ Y他特別強調使用IP一定要在spec上的電壓/時間範圍/sequence下操作, 他們才guarantee
0 {, T; y' ?- ~, v# _所以為了產品的reliability, 有些錢還是得花....

張宥駿@FB

感謝分享解釋得非常清楚。

AIC6632

多謝大家的詳細解說
小弟做test key失敗好幾次
果然沒有ＦＡＢ幫忙
要花很多時間

zyh

谢谢各位大佬，有用哦~~~~~