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[問題求助] e-fuse?

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1#
發表於 2007-8-22 16:35:22 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
最近常聽到 efuse! 所以想問一下有試用過的人!!
2 J* v. U" B6 E" A9 V& V其原理和優缺點是什麼唷?
* Y2 b, h; u/ ^( y5 j1 v# B+ Z  F一個好奇的人想要知道唷!!% G: Z- |' W6 M( `$ R9 s0 V; X1 F* r: y

* \9 u% L! I/ m* Q% `9 w以下是 Fuse & Trim 的相關討論:
# p: @' p7 j5 j; V* w5 wpoly fuse 的問題
" \& P1 }" |, I' D9 ?poly fuse 大約多少能量便可以燒斷? + @# U7 d8 J8 s! e0 w0 r
如何判断poly fuse 已经blown  
" m$ z' Z0 U) ^8 k7 j6 I2 c$ d有關poly FUSE的不錯paper給大家參考  6 }' h) S* C8 {" E) l/ u# u  U
Laser Trim + k3 @+ A7 E' x; x2 r+ @
做完laser trim後內部的電路被打傷的情況嗎?  
5 J; O6 E7 s. n2 J: eTrimming method?   " m9 E  M. t- [% o$ L0 i
Current Sensing Resistor Trimming!!   
  ~7 J! h( N3 L/ }7 T) b3 `* ?请教做laser trim的注意事项  
  C  ~& R' E8 D; zCurrent trimming 要如何做呢?    d! H4 P) C8 P& z2 f: I* y

6 Q* @8 t1 n* r' J1 u$ B* a# E1 ^5 ]( A
* P$ N' v/ F' h+ T5 ~& r! ]/ o- ?
! |. i0 x7 {$ E  }
- |8 t4 d# @/ O9 U5 ^! }# n6 O$ U) j
[ 本帖最後由 sjhor 於 2009-3-17 06:40 PM 編輯 ]

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50#
發表於 2023-2-14 09:07:10 | 只看該作者
谢谢各位大佬,有用哦~~~~~
49#
發表於 2015-10-26 23:02:01 | 只看該作者
多謝大家的詳細解說. d( z; I3 i4 S
小弟做test key失敗好幾次5 a/ F9 ]+ m9 R0 O6 w0 \/ L
果然沒有FAB幫忙. ~- W8 ?: p- h& J8 B
要花很多時間
48#
發表於 2015-10-26 14:57:34 | 只看該作者
感謝分享解釋得非常清楚。
47#
發表於 2014-7-30 15:29:55 | 只看該作者
感謝大大提供e-Fuse的資訊,學習到了!+ Q- B% `% N# P! S
雖然公司也使用了OTP,但royalty貴的很,還是自己做e-Fuse比較實在 ...
1 H4 c" r. b( C! Jbillycsu 發表於 2013-1-24 01:54 PM

1 p* L; G; u/ ^; ~( P8 n
$ ?) v" K; W0 x% Y7 x3 q* a  E5 ?7 _剛好看到這個討論
0 F+ w3 G) Z% Ee-fuse自己做, 風險很高!! 光是 reliability 就是個問題~
% }& u% T. Z. S$ f9 p" u大部份的人都認為燒斷之後就是兩端沒接上的意思, no!" d) {; d9 _' H  W
這個"斷"並不是真的就完全開路, 除了可能斷不乾淨之外* P* z" [0 R9 F5 P
還有recovery的問題!
1 p& ^, n" M( E* P1 }0 }. |) B可能chip用了一陣子之後你會發現讀出來的值錯了, 原本斷的fuse又接上了!3 }9 l. R( ^$ ]6 x, e6 r
這種事只有親身遇過才知道....: D" G6 A# i$ p) U
至於原理可以去查查 failure analysis 的書9 \' v: ~7 c5 D% M
; B: K# w; U. l" P, ~& n
前陣子剛好有機會跟某製程廠的IP部門副總聊到這個問題
* r& D' n( n2 f2 J: [6 e# E他也confirm了這點~
/ h5 x/ _) y! u8 K他特別強調使用IP一定要在spec上的電壓/時間範圍/sequence下操作, 他們才guarantee
0 ?. I$ S/ U+ X' ~1 Y3 n$ u所以為了產品的reliability, 有些錢還是得花....
46#
發表於 2014-7-23 09:53:18 | 只看該作者
回復 11# emcthomas
$ {; v5 a- e7 c0 R' R9 V( W
2 |4 K- ~2 w" Q/ t7 e+ z* W- K8 m7 ~
5 j& r7 h% H6 w% J6 l3 K    OTP工艺太贵了,目前用Poly fuse的多,注意trim电流要大于10mA以上,trim路径上的电阻要够小。
45#
發表於 2014-3-13 12:48:25 | 只看該作者
感謝各位無私分享, 請問有無efuse SEM照片可分享.謝謝
3 O' U) P3 f: w# D
' O3 y) A1 J; \' S: r8 E7 h1 LLaser fuse 可用高倍率顯微鏡看到..但願還沒看過efuse的..
44#
發表於 2014-3-4 23:41:51 | 只看該作者
e Fuse 就是FT TRIM 方式 因為 PACKAGE 後BANDGAP 電壓會飄 6mv (paper)   所以如BANDGAP RFE 要準到 1MV + l4 j# W* a1 M/ A6 q9 x) U1 Y
- o- g1 _# v8 g$ P# y! v
得如此* }8 r3 q( h8 a+ ~/ c# C
. }) F  {8 p4 D8 G$ h
一般 使用 POLY FUSE 燒有RISK是萬一第一次沒燒斷變高阻抗就燒不了7 V- C. w* R. U6 |/ J" T
METAL FUSE 當EFUSE 是可以 但是  VANGUARD 本身有IP  有提到如果 每次READ 都留電流會慢慢燒EFUSE
& t% i* E- T1 W6 \1 D
5 v& p, ^4 I( K) \5 t) |, A一般做法是POWER ON 先READ 後就不再去讀E FUSE 可降低問提- {' m! D3 s% s5 Y; W1 q
還有 FUSE燒 on  off  impedance 要有資料
8 V: r- S) K, A% B& l6 a
0 u+ L$ s7 N$ Y0 tVANGUARD 有
43#
發表於 2014-1-10 16:00:16 | 只看該作者
回復 2# finster ; l- R/ u8 {% M5 J9 B" m6 F# y* Z1 s

' ]" w! e- J+ {2 m/ e3 {
5 [3 c' t2 L* B, f( X    感謝分享,最近剛接觸收益良多
42#
發表於 2013-10-6 10:11:52 | 只看該作者
The information of eFuse is useful for me
41#
發表於 2013-9-11 13:39:27 | 只看該作者
The information of eFuse is useful for me ~~~
40#
發表於 2013-1-24 13:54:04 | 只看該作者
感謝大大提供e-Fuse的資訊,學習到了!
3 ?, O5 z% U. ^( K雖然公司也使用了OTP,但royalty貴的很,還是自己做e-Fuse比較實在!
39#
發表於 2012-8-13 12:44:58 | 只看該作者
補充新知~感謝感謝!!!!!!!!!!!
38#
發表於 2012-5-29 19:37:29 | 只看該作者
感謝~找很久了...我最近一直在找相關資料
37#
發表於 2012-3-20 17:31:36 | 只看該作者
Thanks~~~   j3 o* e- i8 S' W. C& {
感謝大大分享心得。
( z& y; l3 g9 l1 C8 J很有用!!
36#
發表於 2012-2-5 18:17:23 | 只看該作者
正想瞭解efuse,感謝大大分享。
35#
發表於 2012-2-5 18:16:46 | 只看該作者
正想瞭解efuse,感謝大大分享。
34#
發表於 2011-12-12 17:30:27 | 只看該作者
各位大大....謝謝啦....
33#
發表於 2011-12-5 20:42:46 | 只看該作者
eFuse如果也是用燒的,那跟Current Trim的差異點在哪呢?
32#
發表於 2011-9-23 09:39:32 | 只看該作者
thanks a lot!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!
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