Sansen讀書會...

賴永諭

slide 154
& `0 E0 Z7 b" f! T! zA gain of 1000 is expected.
=>應該是 A gain of 100 is expected.

賴永諭

Slide1524:
& Y: f- s2 n9 m! |* m0 m. ?' sSlide 0128 Vout/ic=1/2gm3ro1
& G( ?3 D: k$ g$ l8 M5 @# `
補充內容 (2019-1-8 11:06 AM):
- D2 a" U( J# i) R; D7 L+ y: D5 q- vSlide1524: iout/ic=1/2gm3ro1
( ?# X2 K/ h$ h* X" o8 c
補充內容 (2019-1-8 11:08 AM):
- G5 C5 c% p; i# u/ p9 zSlide1525: iout/Vinc=1/RB*1/2gm3ro1

賴永諭

Slide 1312:
Input shunt: Current mixing輸入電阻變小
Input series: Voltage mixing輸入電阻變大
4 @: I7 L* ]4 }  V( N) r7 JOutput shunt: Voltage sampling輸出電阻變小
' D3 p, J- I8 j9 X8 E7 {4 kOutput series: Current sampling輸出電阻變大
( F0 ~' P5 D+ M- K9 z  B

賴永諭

slide 0731
需要4各bias 點~
& ^# X& F) t1 i. e$ y  A
( w( \, z, b3 f, nside 0732
只需要3各bias 點~
M2 D 端的極點比slide更遠

賴永諭

slide 097
0 J% |: g$ _0 Y9 ^/ N8 \It is the output gm3 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW
" a( I! v  d$ l! y: Ldepending on the phase margin required.
=> 更正
It is the output gm2 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW
5 P6 x$ e3 \  y2 f( N: kdepending on the phase margin required.

賴永諭

賴永諭 發表於 2010-7-13 03:49 PM
4 t5 W$ L0 W/ v+ V9 F1 r回復 32# tuza2000

上面說明有誤～
* H' _* F( a. R7 o實際上左邊diode connect pmos gate 與右邊M6相接
% x9 g( j' `4 D3 I; W

賴永諭

Slide 0346: Input M2 base, OUT M3 base(Series- Series feedback)
Current sampling, Voltage mixing; 增加輸出電阻, 減少輸入電阻
% p) a' g, I8 E! X" x; \  B* [所以Rm增加beta

賴永諭

Slide 2264: gm max=1/2(W*C1*C1/C3)
Ref: silde2219
6 U8 _9 X' o# c0 y& W) O4 w# FStart-up of oscillation 可知

賴永諭

Slide 025
  o& M( O. K" I9 h" }/ BNoise will be explain in detail in Chapter 4.

賴永諭

slide 0444
. a0 U4 |! z2 ^' W5 NNoise of a current mirror with series R:
前面的R小於1/gm時, 為什麼iout noise 隨的電阻增加而變大?!
還是只是示意圖來說明, 此時的電晶體noise 是大於電阻的noise~~~
4 q' h5 _6 d% k0 t謝謝~~幫忙回附一下

賴永諭

slide 0513
  a4 O$ a  X4 V( n7 G% @分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下
5 m1 ^' i4 C: ?; F; Y% W/ o6 t! h1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。
0 J$ m; `! y) C# `1 K1 U* t2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。
3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta；只有DC gain=1/beta。

賴永諭

slide 0513
3 Y1 A4 ?- G& L8 a5 V  R, n5 |分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下
1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。
! G1 @9 s) s9 H5 j+ r$ f2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。
3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta；只有DC gain=1/beta。

賴永諭

slide 2222
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)

=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
1 g% P/ s. }: m: g: ]所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
7 B" o6 ~' \( y: A5 w$ D& y

賴永諭

slide 2222
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
8 _; D+ u6 q4 @
( N2 S5 C. V3 Y; d7 [7 e4 w=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
. C9 v( Y4 a6 M" g" R( B所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
& u; D- Q6 _% G+ Z- [3 K* k0 p& e

賴永諭

slide 2222
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)

=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
* I3 W( |' h" N9 P" g所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
( E6 a% |' e& `2 v

賴永諭

slide 2222
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
( K* o$ }0 P/ Z
. `' K! K. x7 h8 p7 b=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
7 \6 |4 Z; Y3 [# e! d0 Q/ Q

賴永諭

slide 2264 Calculation of gmA

gmmax 應該是C1WC1/2C3

=>ther/2=gmax/(Ceff x ws)^2可推算出來

賴永諭

賴永諭 發表於 2024-3-4 04:01 PM
/ V& z1 c4 z$ w$ K+ u! {slide 2222
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)

4 v# S# b3 s! \, }7 F7 AgmA~ 4RsCL^2Ws^2
/ u' w! }1 {; ]5 `# s/ g' l9 Tand 4WsCL^2/QCS


+ f7 H3 _! n: j# c* H" d

賴永諭

RIP
0 S! ]0 a+ q) d7 y2 T  K& R3 }# Y
3 n* F6 b* c* H. VIn Memoriam : Willy Sansen (1943-2024)

; F  P3 P: L, \% `' }( O; uhttps://bbs.eetop.cn/thread-968254-1-1.html

賴永諭

Design of Crystal Oscillators
slide 2255補充資料：Two stage ring oscillator analysis

: ~# F; q1 {8 ?  K& n& U5 L% xhttps://drive.google.com/file/d/ ... Hq/view?usp=sharing