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樓主: minzyyl
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[問題求助] 關於amp的match問題

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21#
 樓主| 發表於 2009-7-19 08:30:50 | 只看該作者
原帖由 erwbeflkw 於 2009-7-18 08:06 PM 發表
8 B4 X( }# a4 ^方案一:4 i; u% D  V/ F! g! p/ z
  AB     AB
, [7 C* z) X7 \* [# E. P        x# ~7 \* J2 O1 G: p) _3 \
  BA     BA  兩個兩個相互共用應該也算common-central0 w& g0 n$ f2 W& J
  H" r" w: {6 h. @! Q0 p, k* Z! [
如果不共用' M& e! h( s  ~
 A      B          A      B
  t) o/ V$ d3 u; }3 g7 T        x        X         x
6 Z5 ]/ ?& }* K' V, [! x, }( k B      A          B      A   
- c& L) e% N4 X3 E# x- m* e   ...

5 m1 J8 ]7 ?% u7 o& o% R, _
8 k9 w' F; \8 I5 I' A9 ]方案一勉強算CC,兩兩共用但中間不共用,可能不是很match,其他基本上同意.* y9 n' l0 K# E) M3 D0 G
3 I; }3 d' ~6 W
第二种如果不共用,感覺就對稱電流方向考慮應該是最好的,感覺不理想的就是如果電路比較在乎計生電容,也就是說RD比較在乎速度,就不是最佳的了吧? 不知道分析的對不對
22#
發表於 2009-7-19 13:56:53 | 只看該作者
If you are very care match and the current ,I suggest you use the two, because its match very good than the others, about the current's orientation , you don't share the S/D can be OK.
23#
發表於 2009-7-24 08:25:44 | 只看該作者

整体间的电流方向是一致的。。。。。。

但是把A,B看成一个整体时,整体间的电流方向是一致的。。。。。。
24#
發表於 2009-7-30 15:12:14 | 只看該作者
以我自己的作法是選第二種,原因如下:既然是輸入級,那重點就是不讓IN&IP miss match,如果在這裡就miss match的話,後面各級處理的再好都沒用.所以我會增加一點面積來達成這個效果.
3 L  |0 @2 v* M: e7 r$ h  GRD聽到這個理由一般都會接受.畢竟省面積到處都可能作的到,唯有輸入級的面積是省不了的!!(當然先決條件是RD能認同)
25#
發表於 2009-7-30 17:38:52 | 只看該作者
原帖由 nebula0911 於 2009-7-30 03:12 PM 發表 % n. p& D# p6 F1 O. H
以我自己的作法是選第二種,原因如下:既然是輸入級,那重點就是不讓IN&IP miss match,如果在這裡就miss match的話,後面各級處理的再好都沒用.所以我會增加一點面積來達成這個效果.
" N/ q# N8 k; l* V  t; J0 |RD聽到這個理由一般都會接受.畢竟省 ...
: f2 x7 e! l9 ?/ T! M

& C3 U+ l6 c8 q5 G+ N& [8 h5 [! \+1
* P, Z0 e: j" N/ C! Y1 o$ ^4 e) `6 [" a( M
輸入級的match是最重要的, 他會影響許多性能優劣
26#
發表於 2009-8-2 20:51:06 | 只看該作者
当然第2种啊
" w  m1 {9 m2 |- C1  面积小9 o2 y+ C  Q: m) |/ b  p! ^4 L7 |
2 drain 面积最小, 与sub 的电容小
( i8 J- u! U6 r3 符合common central  8 K6 U7 Y$ F$ t. Q3 G* L
2 f, p+ @$ s* L7 ~# Y
类比电路的mos  match, 最关键是gate基本一致, 这样vt的偏差最小啊,  就算电流方向不一致, 如果有个偏差的话, 那a和b 也是一起偏差的。
27#
發表於 2010-3-18 13:15:57 | 只看該作者

" p1 ?( `' F2 M0 q3 E- V$ C3 [8 S" q; X: x

5 T! ~# i7 n4 x, y/ ^& u& X& h  q, r1 p7 p  |6 _" k
28#
發表於 2010-3-19 17:10:50 | 只看該作者
請問各位前輩- U% \( }6 j; a/ U/ j, p! c
5 }, T8 l0 l7 i: Q
ABBA       ABBA3 `! A2 g* L9 _4 r* W0 R
BAAB  和  ABBA. }" a& b* B2 g! h6 ~0 }
9 C2 I) n/ b, Q1 i* L% W# U
這兩種又有什麼差異??
29#
發表於 2010-8-11 21:59:41 | 只看該作者
第二种较好吧!
7 ^2 V* f5 X0 i; q. z0 `看你的管子个数而定
30#
發表於 2010-8-24 11:16:05 | 只看該作者
we use 3rd method ' r% |) B# X' z- K) n& Z
and work well sfdr & snd ok!
31#
發表於 2010-9-27 10:47:19 | 只看該作者
回復 1# minzyyl ) q% g7 h8 Y& b; ?/ m/ d. @8 k" l
7 T  V& L" b0 c
! `  B' }; \. a% U  r, G
    我都用第2種方式~common-centroid  `5 v+ }9 e. _$ n/ `
    省面積~而且特性較好~; G0 `8 h9 U1 {1 U6 e: a5 [
    mosㄉ條件一樣~
32#
發表於 2011-6-16 11:48:51 | 只看該作者
梯度效應考量、ID電流考量。
33#
發表於 2011-6-22 11:49:35 | 只看該作者
回復 20# minzyyl
5 J* N% y/ e; a4 g: O& Y9 Y- j; |) n# U) a+ J
我也想知道不共用的理由是什麼?( c4 B# e; u+ _7 d+ e) b. f
34#
發表於 2011-7-13 11:53:09 | 只看該作者
看元件的剖面圖,能夠共用的是s端或是d端,不同製程之元件能夠共用的點不同,rule與rule的規則。就彼此卡死,AA一定會分段。
35#
 樓主| 發表於 2011-7-13 22:13:17 | 只看該作者
前年發的帖子竟然還在。。。/ D" v" `$ }' @; g7 t% x  ]
. b2 |1 k0 b& u! M5 b9 v3 G; }
現在的認識又多了點。這個例子,應該把STI和WPE算上去,那麼答案就比較明顯了。
36#
發表於 2011-7-28 12:38:37 | 只看該作者
要看元件的製程,元件之端點是否能夠共用,目前遇到的元件是nmos元件都只能是獨立元件,能排的只是二維格式,因bulk是共用的,s與d共用的機會根本是不可能的
# U: L3 I( q: ?3 M# |' W7 _0 b' N% B
依照我這個例子,我會說,看元件製程而定。
+ u5 u3 h9 J6 F* v8 i事情並沒有絕對,只有合理性,: F) b2 V+ z+ C* f2 L2 b
rd與layout的考慮立場並不相同,唯一能夠說明的只有雙方的溝通了解。而非傾向單一方的說法。
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