不好意思，想請問一下 bandgap 的問題

a5317

* B5 T/ ~- l4 g# D" ~
$ v* z& J& ?5 P7 G) u想請問各位大大

我是用TSMC 0.18um製程 設計bandgap再跑製程變異時，若電路有mos和BJT是要跑( EX:MOS有5種變異 BJT有3種變異 所以要跑15總組合!?)
# ]9 K3 r% u% I# k% k& y
還是直接跑一起跑 TT SS FF之類的。

) F9 n) Y1 O$ d8 p7 u1 q' h7 s! p小弟我有跑一下製程變異但有一個問題就是 請問在各個製程變異下 每一個VREF曲線 本來就會上下偏移 是正常嗎? 因為我以為會很接近

1 \0 h( g% q3 v, Z1 @但是有約有50mV的偏移。
7 `# b3 y; q5 W' w  l+ ?
8 C; a, J  e- _, _) S
這是mos及bjt一起跑ff tt ss 的圖
想問這樣是正確的嗎

pocket112

我跑出來會有20mV偏差，應該是工藝不一樣

sma1033

如果要作到跟溫度接近0相關的話，只能夠做曲率補償
4 {2 i. \) h! B" x  }. d* g2 M你可以去google找curvature compensation bandgape
+ @$ C# {% Z9 }! E可以找到很多2接補償的資料

sd5517805

希望各位讨论，多谢大家，等待。。。。。。

billlin

算OK,理想的1階補償bandgap電壓根溫度是一個碗狀,
頂點設計在25度C.

a5317

恩恩 所以 我波形這樣是算正常的嗎?? 我是有計算每一個corner的溫度變異
1 l5 @8 a% m% N' `都還是在差不多20多 ppm/C

billlin

這偏移是BJT 的VBE 在不同Corner(SS/TT/FF)造成的,
實際做出來的bandgap電壓也隨BJT VBE電壓呈絕對電壓關析
Vref=VBE+VT*(1+R2/R1)*ln(N)