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沒辦法畫圖, 大家聯想一下或者自己畫張圖,: F# U" @+ L7 Q- ~( M
& c1 Z; s7 u" v1 W h
舉例GGNMOS single device for HBM test
, d' V b5 X6 bonly 2 pin (I/O and GND)4 Q( ^( ]/ o( V; i
5 r; {, |. T2 X
GGNMOS (drain-I/O; source & gate & sub - GND)/ @( p8 O) y) Y4 o
記住ESD一個重要rule, drain contact spacing會放大,% N" Q8 I2 Z7 Q: C @% T6 r& L
" U4 J$ u. ]7 [0 K: ?5 |
假設從drain(I/O)打正電壓, 因為cont rule有放大,HBM pass 3K( k) U/ ^8 ]5 n# A% F& E; P
反之, 從GND打負電壓, source cont rule沒有放大, 所以HBM<2K0 a: Z8 R1 E9 X# z+ u
6 ?2 F6 [- S& y: O) Z$ F
這是最簡單的情況下說明了, 如果是circuit, path更多更複雜,
+ f: \4 C8 h# g+ s& x1 L要考慮可能反過來打負電壓其實是沒有ESD bypass path~
# Y0 D( l$ K5 ]/ U- y2 U) Q0 [% u3 P
& _- {3 J) G/ x# O! w" I: m(這樣大家知道為何會有差異了嗎? 各位先進也可以提出其他看法) |
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