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[問題求助] 2010 CIC比賽之後 想知道正確的電容畫法

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1#
發表於 2010-4-2 01:42:16 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
3月24號的CIC比賽佈局圖沒做出來 原因就是電容不會畫=.=
' `. `) ?. ^" |* H8 V. M- J" [6 ]然後趕快去翻書番講義 好不容易搞出一個電容 跑LVS有跑出誤差蠻大電容值 重點是電容短路了 結果辛苦八小時泡湯了 - G& s$ o  q6 n8 b3 Q
所以想請教各位先進 正確的電容該如何畫
1 O  O& }. @0 f( c2 F/ K0 B# s話說去年我還特別去CIC上課 老師還說:唉呀電容用叫的就好啦 幹嘛怎麼辛苦的畫......  今年卻考電容
% g' ~' A- ?2 [( P- U; D! M! I  n2 X# h
我附上我最後的布局圖 請各位多指教
! b3 K8 n/ o3 N6 z! U$ L

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發表於 2010-4-4 10:20:11 | 只看該作者
當然可以當電容呀...
5 [8 d5 ^: y6 R( ~2 Y0 n( {- [在cadence上你也是要畫mos 等效的電容而不是叫出一顆平行板電容
, R. u9 i: F* ^8 R# K否則lvs決對過不了!!(電腦是很笨的)
: r" u" G/ ]0 a6 ]不過基本上都是在數位積體電路上來"等效"一顆電容(類比也是可以啦)+ L' t8 C2 ~: p. m8 k$ X
因為一顆電容就可以遠大於你所有邏輯電路的面積
; x( \6 ]; l" R) R$ S不過我沒看到電路2 i, @- D; W6 b8 D8 ]
所以沒辦法做結論判斷(是類比電路還是數位電路?^^a): \+ _8 e% f6 J6 V* U1 \
9 W" [/ [' ]; @
若你用平行板的電容外圍要加保護環!!
; b+ G& G$ c* Y4 g$ O9 v) @/ n
% i5 S4 N0 P+ g% R; \+ X3 E我看了一下圖示那應該就是說用金屬層(M)兩層
% B2 C  }  W# Z2 q3 s, z6 H金屬層四邊要去角避免電荷積聚
! k0 r3 Y' K5 e9 Q* ~: J: `' j3 K然後想像一下電容的樣子0 o+ c) H2 w( H! [: u
一定會有接點接出去8 H3 U: y6 }: q" ~+ S2 N
所以或用via 或contact接出去
: P  u: ]- y. m( ~; o! z, l但最大問題一定是w/l 要去算一下! ?0 ^# d# x6 F. E9 u  G+ o' \" |% J

3 W/ n( X" r! u: @, T5 f你可以先試著畫電容然後lvs去跑值lvs會顯示你layout時的c值
9 D* S: Y3 [) z* I. O4 Q通常會有一些些些誤差!(很難完全準)! n- p1 y, C$ v& b

9 Q1 s6 \* w  I, H9 h) X打的好累= =zzz
2 P% i; j( I* Z) [2 q" A多去網路上看看吧~
/ ]$ p, A* i, V% A* j, [製程文件也一定有教
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2#
發表於 2010-4-2 10:34:59 | 只看該作者
電容有幾種 簡單來說 2P , 2M ,  2M+MIM , MOS 電容  其他
' T9 a8 T1 r* n) A
& w& J) l. L; o6 r爬一下文 應該有相關資料
# W0 G8 O9 f) b' ]; Y$ S& }" _  g8 V1 r; h9 k. F
面積 X 參數值 = 電容值  (參數值 通常design rule 有)
3#
 樓主| 發表於 2010-4-2 18:15:52 | 只看該作者
我看CIC給的講義是講2M+CTM
2 G4 O. G( a" l* _- B5 ^所以我就照講義上畫 DRC還說M5要離CTM 0.6u 所以畫成這樣
* |: F' U% O: X% m8 j! |" e1 |2 ~可是LVS卻說這電容短路..所以我不知道我少哪些東西
! }$ a  V* |$ u/ z0 X這是RULE給的電容值算法+ a6 W7 G7 ]' Q4 P
Ca = 1e-3         // F/M^2' e  `7 m4 v- }0 x, c! ?: F) T7 L1 W
Cf = 7.5e-11      // F/M+ j2 x/ ^& k7 F( a3 P5 N/ i  q5 N
C = Ca * area(CMMC) + Cf * perimeter_inside(CMMC, SEC_LAST_MET_C) * ?2 c8 y& W# r/ N
4 y* K# b0 c0 b# B/ ^; m; S
論壇大部分有用的文章都有設定閱讀權限 我想看也看不到 所以直接發問比較快..
4#
發表於 2010-4-3 10:42:31 | 只看該作者
請問你是大學部f組(可程式規劃@@?忘了)的吧!
+ w4 P  ?7 d$ v8 c
/ W4 X& H- Q  ~9 G& [" M我大概有看過題目但我不是參賽者!
; Q6 X6 |9 U3 d" l4 O
( g4 g% R5 N+ h# B電容不一定要用類比式的電容(也就是大大方方一顆的兩層金屬板)
1 r3 e2 t, m: y
4 G1 b" e. }* y$ K( L數位積體電路可以用mos來等效一顆電容& e% Y( z0 }; b" W, z5 C) a- n
. A% q& L$ o! V- b9 v, k
也就是將s和d極短路而g極連接出去
( {; a4 V& \4 s# g; [
6 T- m' _7 W# P: O$ m( F. C4 `8 `) V2 L這樣一來就可利用中間的氧化層和mos的w/l 組成一個電容; T4 A6 J9 y# ^2 B

% p6 r; `# J" nw/l就是決定您氧化層那一段的面積也就是大約等效出您的電容值1 d& p6 N2 i' G) q! O6 w% a6 o

: S1 {: g+ P! C/ t; m; `" `不過您還是要實際去跑一下模擬!必竟不同材值會造成不同的結果!!
- t3 K" S/ r2 ?+ v+ ^7 K( M, J2 Z- h* ]1 v  _' v5 ~1 ^
當然~mos也可以等效成電組^^
5#
 樓主| 發表於 2010-4-3 15:41:45 | 只看該作者
我是大學類全客戶設計組& B$ B# f3 J3 `  H
看到樓上的回答 馬上遠端到學校LAY / `" P8 B) V8 s% Z
畫好發現我Netlist要怎麼指那個MOS是電容. T4 t6 \$ C( N- o7 E, f3 s
然後看一下LVS的RULE只有一行定義電容名字1 R% r  g! O; Z: T5 [. X# z; x
c. MIM Capacitor :
* w2 u) Y' y$ \" e  . Metal5 Mixed Mode MMC Capacitor (MIMCAPS_MM)
) y- b( E6 _! I" J4 d) `3 D( ]9 `+ `就沒了
, A+ N" i& K0 y所以好像沒辦法把MOS當電容* D: D$ ?- O+ }, K$ z0 g- G
順便附上我看講義上的電容畫法是否正確
: O% k( r. t1 @+ w9 j% T) Q# W

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7#
 樓主| 發表於 2010-4-6 01:04:27 | 只看該作者
本帖最後由 lunarsama 於 2010-4-6 01:08 AM 編輯
7 \! \  r6 M$ h) k  t1 ~3 ~
6 j. N; Q7 v% G5 ?清明連假的結束之時 終於把2010試題給完成了 總算對老師有交代了
$ {% W* }, v1 N, ~星期天凌晨兩點LAY到一半 學校伺服器當掉畫面卡死 感覺叫我趕快睡覺
$ w& N" `( Q* W- Y6 Y4 Z0 w星期一下午伺服器重啟之後 第一次把電容無錯LAY好 只是電容值誤差蠻大的
; ~  z2 k2 n2 D: J索性做一個試算表好了 也比較好找電容值
" h" l. Q3 F3 [" G2 L" v7 ^: m做好電容之後發現該怎麼接到電路裡 就直接挖個洞拉出來接了 也不知道是不是正確的接法 5 Q- I7 D: m. u1 w
反正DRC/LVS過就好啦
# ]* {0 G9 A5 b" e' {, a! B- q樓上大大有教用MOS當電容 雖然讓我豁然開朗 我還是不知道怎麼用
% ~8 x) b$ o' e3 {( @cadence該用甚麼零件當MOS電容 像laker裡MIM叫[MIMCAPS]來指定她是電容
) V. a, h# Z7 [( J. DMOS電容就不知道叫甚麼了  可以在詳細講解一下 讓我有個方向
5 B4 v% I% a) P! R, T$ n& J2 Z  n5 _. V9 h
不會畫CIC的MIM電容可以參考看看吧 電容大小:8.1ff電容 沒辦法整數
# h) b, {& G' o  w
5 O. ?* I: d' ?最後佈局圖 只是覺得電容接出來感覺怪怪的 可以有人告訴我是否正確
0 p. E3 Q* Z$ S. v+ }' K1 k9 Q, A* f# V3 A, B, z* N
順便把CIC電容表貼出來吧 看有沒有要吧
. n. ?* t$ s9 e

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8#
發表於 2010-4-6 13:37:50 | 只看該作者
一起多研究吧^___^
. ]1 P5 H9 z5 @  L4 \
5 |3 w* S$ B; K' @$ a! T( w8 U: R7 \不過看你得電路畫法
, P: K# {' d) N7 D! |  G( P; N. K+ ~+ c% X: L+ {( E9 N3 |
感覺像是數位電路
8 B5 Q; |7 t! v, ]9 R- W( P  Q8 w* z2 k; v
p在上n在下/ g& N; M3 ?2 L
. C+ R1 a' N9 P4 A7 M* k
呵!
9#
發表於 2010-4-7 17:36:20 | 只看該作者
都说是电容啦。。那也得看上去像电容啊
8 F5 L" L# w: M0 B6 S. r: I& Y* p画两个大的MOS管就好啦 fingers=2
9 n- I9 \% ?" j) t比你那样好看多了& R) s+ C4 N9 e  w

  X* o7 D8 Y9 D2 s( s; S
10#
 樓主| 發表於 2010-4-8 00:45:05 | 只看該作者
我有去問碩士的學長
* f, _! E1 v, N- ?他說今年CIC的design rule 只有MIM的電容規則裡  h! {' X7 {" P
其他種類電容都沒在design rule裡面
. g) H6 R6 `) k0 k& ]所以其他方法都無法通過驗證
11#
發表於 2010-4-8 17:42:09 | 只看該作者
嗯...Metal-Insulator-Metal喔
  o) ~+ y3 C/ g6 O那就很有可能!!!( Q9 g) u8 F' Z* T! M

1 T) z5 F4 W* n5 o. \* ^+ j# p你說的design rule 過不了9 ^8 \, |' b4 Z
我想你是說在cadence 中是用MIM電容
# N6 |- f7 w( C- j8 W0 v' @' M但佈局卻是用MOS等效電容
/ C6 _  ~$ `& ^" d% Y4 j; G+ P! A( g
這樣是一定沒辦法過的!!
; f, y5 V( I3 M- f& ?$ E! `; C
0 ?: v" g+ s$ Q! l+ p- J但是...如果在cadence中就用mos等效電容
/ u. U3 h* D- K# d; T6 h那這樣還是可以過的!!
12#
發表於 2010-5-10 23:25:15 | 只看該作者
類比元件的電容好像很難畫...." n( c; g5 J/ g
那個老師說用叫的...是要怎麼叫阿...
4 k' o  D4 \' s3 N3 N5 ?該不會是叫一個NMOS或PMOS+ K! n6 i/ D8 `" a2 }
然後再把S端D端相接7 c7 A- O$ \! i4 N) e
在去算他的L、W、Cox?
13#
發表於 2010-5-19 22:38:30 | 只看該作者
回復 3# lunarsama
) u4 G2 z8 S& i, S+ u( {
3 x+ _; y& `, F; V) \/ V; O  ]/ z8 E  b# z, i* o8 H; f  O
    請問您這次比賽所使用的process是.... W7 [6 `! ^1 B, w0 K6 J
如果可能的話可以寄LVS command file給我
, P6 Y: Y6 L( d/ q0 }/ a( M我幫您看看是哪邊出問題
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