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[問題求助] 加入T18 ESD IOPAD之後 VSSE的gnd 會短路到所有port

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1#
發表於 2023-8-2 02:43:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
大家好2 a% u" U6 a7 j
0 ]4 \. W. e, z' S' \& Q* k
在完成晶片的core之後要打上PAD去做靜電防護
6 q* ]0 D8 t% @
- Z9 b2 H# O( t; t. O但是我的VSSE PAD的接地端卻短路到所有AIN_18的port) }2 {: w0 e9 Q' `% Y. P4 d7 L
; T4 m0 j! ?  O
造成LVS驗證顯示短路1 s6 n9 `/ m( ^8 r& o

$ ~; S. [2 R, a$ O因為用的是TSRI給的library" m& }- ]# T$ m6 j

3 y0 U9 c* Z4 s. N5 w2 y. r' a! Y  y發現他們的AIN_18接口好像會直接短路到ESD的gnd @@(從layout 的佈局圖匡起來的虛線判斷的# M% ?& F6 A: D

2 @$ {$ o6 L! H4 F2 V; K而且製程檔中給的一顆範例layout我也跑不過LVS QAQ
! T& V; |& W8 s% {& u7 j! e' o8 X1 f+ O8 T/ g5 k
是stream in 的時候就有問題了嗎?& e0 F3 Q9 c# \5 J4 _& D
' j9 h/ c# @! u7 o0 ?" Q. t( w1 ~
請問有人有遇過類似的問題嗎 謝謝大家
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