設為首頁收藏本站
開啟輔助訪問 切換到窄版

Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步，快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
Chip123 科技應用創新平台»論壇 › Chip1 -- 基礎元件 › ESD/EMI/EMC討論區 › 請問一般業界都使用哪一種ESD電路比較多？？ ...
返回列表 發新帖
查看: 21810|回復: 17
打印 上一主題 下一主題

[問題求助] 請問一般業界都使用哪一種ESD電路比較多？？

[複製鏈接]
跳轉到指定樓層
1#
發表於 2008-11-24 15:16:54 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
請問一般業界都使用哪一種ESD電路比較多？？
# r' y/ }6 p3 |, z就是比較簡單,比較常用的ESD有那些？？% y- z9 }$ d8 E9 d+ j
有純MOS的ESD嗎？？; t6 R3 G; t# B0 P; b0 z
設計上有何重要的技巧？？) v5 m8 L9 a$ |5 E) O8 V: V/ E
請問附圖的contact to contact距離在ESD裡代表什麼重要的意義ㄋ？？
2 k9 L1 m" L, p請高手幫忙解答？小弟正在學習esd有很多不懂得,謝謝

本帖子中包含更多資源

您需要 登錄 才可以下載或查看，沒有帳號？申請會員

x
分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空間QQ空間 騰訊微博騰訊微博 騰訊朋友騰訊朋友
收藏收藏 分享分享 頂頂 踩踩 分享分享
回復

使用道具 舉報

2#
發表於 2008-11-24 22:48:41 | 只看該作者
很多都是用“純MOS做的ESD”，只是防护时开启泻放电流的是其寄生的三极管！
回復 支持 反對

使用道具 舉報

3#
發表於 2008-11-24 23:14:50 | 只看該作者
"請問附圖的contact to contact距離在ESD裡代表什麼重要的意義？？"
& o/ X$ C: x. t8 @好像没啥具体意义，符合设计规则就可以了！
. r1 L' a3 U4 ]- H. WESD设计时要考虑 contect to gate space！！！

評分

參與人數 1 +3 收起 理由
hyseresis + 3 要學得更多就要問得更多喔！

查看全部評分

回復 支持 反對

使用道具 舉報

4#
 樓主| 發表於 2008-11-25 09:19:10 | 只看該作者

回復 3# 的帖子

感謝副版主,那請問contect to gate space在設計上有要注意的地方嗎?或是有何設計規則?
: Z: t0 C# q; F感謝
回復 支持 反對

使用道具 舉報

5#
發表於 2008-11-25 13:58:21 | 只看該作者

回復 4# 的帖子

一般要比普通设计规则要大几倍，代工厂一般会有推荐值，之间也会有不同，具体可以参考设计规则文档！
回復 支持 反對

使用道具 舉報

6#
發表於 2008-12-2 21:41:40 | 只看該作者
原帖由 hyseresis 於 2008-11-24 15:16 發表 ' G$ V: r. i/ u& _' X
請問一般業界都使用哪一種ESD電路比較多？？
7 X5 R+ ]8 E4 h6 q就是比較簡單,比較常用的ESD有那些？？/ _4 J( @2 D& h

9 b; O" ^. G. k/ }請問附圖的contact to contact距離在ESD裡代表什麼重要的意義ㄋ？？( t2 u- r. r( P# x/ F% e4 z) L% u+ \
請高手幫 ...
: c9 ]  ~- w2 G- n6 l: v

. q% K: W5 S2 ~8 g; O5 j我是这样理解的
* P. E4 l6 W' r) q! gcontact to contact距離可以决定本身MOS管的ESD性能；
1 @5 |8 ~/ \- H: y2 B. w/ X会影响MOS泻放电流的均匀性和散热效果, P* {0 q# Q  S  |! i; C
晶圆厂给的尺寸，一般是经过验证，比较可靠
回復 支持 反對

使用道具 舉報

7#
發表於 2008-12-11 12:01:12 | 只看該作者
contact to contact spacing is a minimum spacing，drain contact to gate spacing may layout with >3um
回復 支持 反對

使用道具 舉報

wph123
8#
發表於 2009-3-24 01:50:12 | 只看該作者
提示: 作者被禁止或刪除 內容自動屏蔽
回復 支持 反對

使用道具 舉報

9#
發表於 2009-3-25 10:41:07 | 只看該作者
如果有用SAB (亦稱為RPO),contact to contact spacing 可以是minimum rule$ S6 @  p# V( n' y- M
但如果沒有的話,可以增加contact to contact spacing 而達到ballast resistance的效果.
回復 支持 反對

使用道具 舉報

werx
10#
發表於 2009-7-26 21:54:42 | 只看該作者

小弟才淺

通常只要遵守Foundry場的ESD design rule畫layout的話，ESD基本上應該都沒什麼問題
5 V6 V  l6 W7 R# |9 e% P8 x因為他們自己開出來的製程都會先自己作實驗0 e! M/ Z8 U/ g7 u
至於con to con的意義呢？1 x$ g$ u6 t  S1 S5 E
在IO MOS上當然是能塞幾個就塞幾個# G/ d5 k. W/ _4 M( C) h
因為ESD電流來時又大又快
% g" Q- u1 e* I! a& [% v4 GCON越多路徑阻值越小一點' u; ~; v3 A% ?. [! T% d
所以CON TO CON通常取MIN.  d* K) r) h$ B5 N; L* p6 F) a
' R3 l9 |( i0 W
小弟才淺
回復 支持 反對

使用道具 舉報

11#
發表於 2009-7-27 08:46:08 | 只看該作者
“所以CON TO CON通常取MIN”，right！
回復 支持 反對

使用道具 舉報

averyer
12#
發表於 2010-5-27 10:58:00 | 只看該作者
謝謝大大的分享~更加了解esd的重要性
回復 支持 反對

使用道具 舉報

finster
13#
發表於 2010-5-29 20:24:51 | 只看該作者
一般來說,在output PAD的ESD, contact能夠多打就多打,因為這個樣子可以降低從source to drain的阻值,這是以電路的角度來看
! }' A! u; C' y( w! q6 G- {5 f4 i而對ESD而言,它所在意的並不是contact to contact的距離,而是poly to drain的距離,這是因為在測ESD時,我們希望ESD的瞬間電流或者電壓從power clamp或者ESD device來排掉,而不是走output PAD的path,因為本身的output PAD並沒有足夠大的面積來排掉這麼大的ESD電流,故而,poly to drain距離會比一般的device來的大一些,主要是增加poly to drain的阻值,如此一來在測ESD時,ESD電流大部份會藉由power clamp以及ESD device來排掉,部份則由output PAD來排掉
回復 支持 反對

使用道具 舉報

14#
發表於 2012-7-12 13:18:29 | 只看該作者
说的好
* S9 y2 B6 S' g$ t% F( s7 h0 S3 l' R- `5 w" W  ?
9 r( P* F& s& e" a7 @, O! Y! D6 A  x
！！！！！！！
回復 支持 反對

使用道具 舉報

15#
發表於 2013-8-16 15:53:07 | 只看該作者
poly to drain的距离，是增加电阻，让寄生三极管均匀打开。
回復 支持 反對

使用道具 舉報

返回列表 發新帖
高級模式
B Color Image Link Quote Code Smilies
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-6-3 06:34 AM , Processed in 0.147019 second(s), 19 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表