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在這邊說說我的看法
! \/ D+ n2 j# Y% U4 x e+ X9 |5 J! [一般來說 Wafer Level Burn-in 的目的是為了要在大量生產IC時* Q7 h Y$ _2 |
找出先天夭折的不良品, 意思是也許這些 Die 可以通過 高低溫測試與封裝測試
. B! `. J' @3 ]5 F4 u' }但實質上 IC壽命可能小於半年. 這種IC出貨到客戶 再賣到消費者手上 H2 F" q, e) ?4 Q! _6 p& g9 c
肯定會造成客戶極大的信譽與利潤損失.
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, a `2 f3 [) Y; K. @+ L一批IC中 不良品, 良品與 一般品 通常呈現出一個高斯分佈的情況
5 z: A4 ?( W7 ^$ n# I, B但是我不可能把一批IC使用個半年 一年 然後看出哪些極少數的IC是不良品3 o5 ]8 u* t" T H( f
再把良品出貨給客戶, 因此取而代之的方法就是 使用比一般環境更嚴苛的高溫高壓
' l9 F& c& \8 Z; c. X5 ~, _+ M去操作IC 讓一批IC可以在很短的時間內 內部的MOS的 drain/source端不斷的承受 4 h& u% {$ s) V( A. G9 a
很高的跨壓, 也就是 你用高溫高壓 Burn-in IC 幾小時某種程度上
, v: L0 `4 q& y3 @) M6 J' {4 |就等效於 使用IC在正常電壓工作個一兩個星期 p# y/ O _- o8 n: X
所以 Burn-in 可以縮短IC的測試時間
5 \% u. Y6 Q* _" j讓你很快的 篩選出不良品 再把剩下 Robust的IC 出貨給客戶 也就確保了 Reability
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2 x! E6 b# x8 X最後要回答的是 雖然提高工作頻率 也是會快速損耗IC的使用壽命2 r" s, `: r1 _) W$ i0 e4 t* ~0 x
不失為 也是一種不錯的 Burn-in的方式/ y% T" ?' M( h. Y# N
但是實務上 Burn-in 電路 通常設計者不會要求電路要跑到高速
8 @ v! ?8 [% r! v$ F畢竟這只是後段測試電路而已, 讓電路跑到 High-speed 原本就不是件容易的事7 E) g9 T7 z/ ]* K6 S4 S. B3 ?
只要使用高溫高壓就可以達到相同的效果.
2 T( O8 b# e" [, O% T) |0 r% A何苦連 Burn-in電路也要做到可以高速運作來折磨自己* S6 v$ s' l J6 K" R; i) c
所以 Burn-in 時 clock只使用 10MHz到100MHz之間也就不足為奇了.# q8 O {% B( \2 d. L% m. I
/ M7 v8 g0 O* j/ v: o b[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-1-18 11:04 PM 編輯 ] |
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