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[問題求助] Burn-in相關問題討論

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1#
發表於 2008-1-18 17:59:24 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
現今的產品所使用的Clock都非常的快, 像Logic, DDR, DDRII, DDRIII, Flash.....等產品, 為何在做Burn-in Test 時, clock卻只使用10MHz, 而不是實際的工作時脈, 不知是否有人可以解釋, 謝謝~~
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2#
發表於 2008-1-18 23:02:09 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

在這邊說說我的看法
! \/ D+ n2 j# Y% U4 x  e+ X9 |5 J! [一般來說 Wafer Level Burn-in 的目的是為了要在大量生產IC時* Q7 h  Y$ _2 |
找出先天夭折的不良品, 意思是也許這些 Die 可以通過 高低溫測試與封裝測試
. B! `. J' @3 ]5 F4 u' }但實質上 IC壽命可能小於半年.  這種IC出貨到客戶 再賣到消費者手上  H2 F" q, e) ?4 Q! _6 p& g9 c
肯定會造成客戶極大的信譽與利潤損失.
2 B" i0 S/ ]8 {; U% _. s% U
, a  `2 f3 [) Y; K. @+ L一批IC中 不良品, 良品與 一般品  通常呈現出一個高斯分佈的情況
5 z: A4 ?( W7 ^$ n# I, B但是我不可能把一批IC使用個半年 一年 然後看出哪些極少數的IC是不良品3 o5 ]8 u* t" T  H( f
再把良品出貨給客戶,  因此取而代之的方法就是 使用比一般環境更嚴苛的高溫高壓
' l9 F& c& \8 Z; c. X5 ~, _+ M去操作IC   讓一批IC可以在很短的時間內 內部的MOS的 drain/source端不斷的承受 4 h& u% {$ s) V( A. G9 a
很高的跨壓,  也就是 你用高溫高壓 Burn-in IC  幾小時某種程度上
, v: L0 `4 q& y3 @) M6 J' {4 |就等效於  使用IC在正常電壓工作個一兩個星期  p# y/ O  _- o8 n: X
所以 Burn-in 可以縮短IC的測試時間
5 \% u. Y6 Q* _" j讓你很快的 篩選出不良品  再把剩下 Robust的IC 出貨給客戶 也就確保了 Reability
9 T) t9 X: y0 k1 N& n
2 x! E6 b# x8 X最後要回答的是  雖然提高工作頻率 也是會快速損耗IC的使用壽命2 r" s, `: r1 _) W$ i0 e4 t* ~0 x
不失為 也是一種不錯的 Burn-in的方式/ y% T" ?' M( h. Y# N
但是實務上  Burn-in 電路  通常設計者不會要求電路要跑到高速
8 @  v! ?8 [% r! v$ F畢竟這只是後段測試電路而已, 讓電路跑到 High-speed 原本就不是件容易的事7 E) g9 T7 z/ ]* K6 S4 S. B3 ?
只要使用高溫高壓就可以達到相同的效果.
2 T( O8 b# e" [, O% T) |0 r% A何苦連  Burn-in電路也要做到可以高速運作來折磨自己* S6 v$ s' l  J6 K" R; i) c
所以 Burn-in 時 clock只使用 10MHz到100MHz之間也就不足為奇了.# q8 O  {% B( \2 d. L% m. I

/ M7 v8 g0 O* j/ v: o  b[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-1-18 11:04 PM 編輯 ]
3#
 樓主| 發表於 2008-1-21 11:30:59 | 只看該作者
謝謝你的寶貴意見, 讓我有基本的概念了, 謝謝~~
4#
發表於 2008-1-31 23:00:04 | 只看該作者
此問題讓我回想到十幾年前曾經做過Burn-in的設備工程師的日子,真是好遙遠
5#
發表於 2008-1-31 23:06:38 | 只看該作者

回復 4# 的帖子

一開始選工作就要慎選/ i5 ?* O: P* l- z$ B
從後段到前段難  從前段到後段易1 B$ `: c. p( k, C
如果先做測試或設備工程師9 g: {- W1 _+ f  d6 p  ~. }  I. a, H2 W
很可能就會像以前我大學老師說的一樣0 j: s6 c; L* H" m
一日 testing ,  終身testing
6#
發表於 2008-2-13 17:02:44 | 只看該作者

burn in

there are several kinds of burn in method for IC .
& U; k% {9 e3 Y0 ePCT and HCT and several combinations to test the DUT (device under test)2 n+ M9 l! T& G* t
The reason is the failure rate curve of  "bath tub"
6 h# D0 X4 Z# \( v" J% a8 D7 eSo we do this to 'stress" the semiconductor to push to the failure condition that cause by + L6 n8 C  ]' e' }2 @
semiconductor degradation.
  ?6 X0 [* ]. M* X& `I did this 16 years ago and I analyzed them to see the defect or failure mode.
/ w' J1 V1 C( U0 X" qThe operation is only to ensure IC is working but most condition is cook IC wiithout active current in it.5 Z7 J3 H7 V5 h7 I- @
Oh! those yang days!!
7#
發表於 2008-2-13 17:07:16 | 只看該作者

Hi I was testing

cannot totally agree with your teacher's word.0 D) k; V  z+ b# J, I
I was test Eng but I experience lots  TECH jobs including R&D .
- Y1 E. y/ r. x9 c. {
4 r2 ~7 v2 A4 B0 z6 l$ FI believe the only true way is :one day I'm EE the rest ofmy life I should be EE.& _6 w& e/ n- g$ F7 K

' x( y* f& t0 P* Q5 N1 {* a' ?EE includes all the hardware software RF power,embedded tech,.....etc.
$ o6 V" N; P" P0 ^" i5 ~- \4 Z4 y: w6 M4 h! B2 ?% ^" v
Do you think so?
8#
發表於 2010-5-23 10:55:37 | 只看該作者
I agree your point of view.; Z6 M( U6 |% [. g( P$ }% u9 a6 n
When we test some products, we should realize their specifications.
7 `7 o) i0 s8 I* w) c( ?0 k  w* WIf we can't learn something from testing, we can only be a operator.
9#
發表於 2010-5-27 12:07:28 | 只看該作者
補充一點, burn-in system 為求降低單位生產成本, 一般就是提高單爐產能 (一次送進burn-in的IC數量), 這使得單一burn-in board上必須配置大量待測IC, 同時也會讓單一數位通道要驅動多顆IC (8~64顆不等), 加上超長的佈線與所有socket pin的寄生電容, 等效電路就是要推超大電容 (nF~uF級), 為防止電路上各級DUT短路影響其他待測IC, 通常還會串上K級電阻, 最後從driver看出去就是並了一大串low pass filter, 所以10~20MHz就算很厲害了.
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