8/5~7 美國加州快閃記憶體高峰會

ritaliu0604

東芝將在快閃記憶體高峰會上展示最新NAND和儲存產品
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(20140806 12:47:45)東京--(美國商業資訊)--東芝公司(Toshiba Corporatioo) (TOKYO: 6502)今天宣布，該公司將在快閃記憶體高峰會(Flash Memory Summit)上展示其最新的NAND快閃記憶體和儲存產品。快閃記憶體高峰會是全球最大的快閃記憶體討論會，將於8月5至7日在美國加州聖塔克拉拉市的聖塔克拉拉會議中心(Santa Clara Convention Center)舉行。

, J3 v! ]7 ?+ D  P; g4 U6 C& m2 W快閃記憶體高峰會的展覽環節將在會議的最後兩天8月6日和7日舉行，東芝將在504號攤位布展。
# i( X' @1 t2 n: T: j3 [0 ~
主要展品

5 w: d4 Q; t3 L# G7 l0 s1. 企業級固態硬碟(SSD)：
0 P  k: ]8 I, j) ]4 M- t
企業級讀取密集型SSD PX03SN/HK3R系列
. s, m% K  U( P: `0 ]. Q9 m高讀取率IOPS伺服器PX03SN系列展示

( P4 o  ~1 q2 b/ b8 L2. 用戶端SSD:
5 P" L1 L$ `) S+ Y- f
高階用戶端SSD HG6系列
, K' Q- z7 z% t% a7 B* K8 c2 s2 F! oTLC[1] NAND嵌入式用戶端SSD SG4系列（參考展覽品）

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3. 行動記憶體：

嵌入式儲存記憶體解決方案：UFS[2]、e-MMCTM
記憶體卡：SD記憶體卡、USB快閃記憶體
無線區域網路(LAN) SDHC記憶體卡：FlashAirTM

/ E9 N; A+ r  q9 l4. 企業級&工業級記憶體：

SLC[3] NAND、BENANDTM [4]、15奈米製程NAND晶片

注釋
) a) g# f: ~& M  r) b) o& e
, o+ Q* E/ P: W[1] TLC：三層儲存單元（每單元3位元的NAND資料快閃記憶體類型）
/ T9 z5 p" b( A. A# j, {[2] UFS：通用快閃記憶體
& S- }! T- m! X2 A, C[3] SLC：單層單元
[4] BENANDTM：內建型ECC NAND