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再來領個RDB..." Y/ s* P' n! `! D! r) s/ Y
- w$ k' q0 n2 c/ i0 i3 O* U8 ~( t' q; LQ: 動態鎖存器、記憶體需要動態刷新；靜態鎖存器、記憶體不需要動態刷新？
1 w2 L- r* O3 P, Z& rA: 是的...一般來講沒錯 m" Q2 `* I8 B3 s/ T+ d
: h4 a. k. V8 ? k" g" o: [$ bQ: 兩個存儲方式不同，動態有內部有電源到地的電流通路，靜態不需要，所以前者會失去信號，需要刷新!!7 q0 A' A2 p0 a" t, m* ]! ^: ?# J
A: 不管是動態電路，靜態電路內部都有電源到地的電流通路, 一般稱為漏電流, 只是因為動態電路使用電容儲存狀態, 一旦電荷不足以表示邏輯時會造成輸出錯誤, 所有才需要refresh, 在輸入變化的頻率週期大於漏電的時間時, 就不需要refresh. 而靜態電路是靠迴授來記錄狀態, 故不存在這個問題8 d) a* ^7 G3 ^$ C1 E
& Z; j- x/ Y. \8 G
Q: 不過敢問兩者的速度比較如何？？
" N) X$ \0 D) G' {/ lA: 在0.18um COMS process, dynamic circuit約可以操作在10G~15GHz以上, static circuit只能操作在1.5GHz左右, 前者使用fully design flow跟設計及工作電壓有關, 後者使用standard cell libraries.
; D6 H$ A- t1 }) s2 i! E" `' H% k/ @2 ~5 E Z! t# g+ z6 h9 {
[ 本帖最後由 tommywgt 於 2007-2-25 10:46 AM 編輯 ] |
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發表於 2006-11-25 20:55:53
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