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[問題求助] Layout 新手問題!!

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1#
發表於 2008-5-14 15:21:36 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
inverter 製程 0.18! W8 q9 p# f+ X! h- N

0 d+ w' h. }* l+ r; {( e1 J---RUN DRC----------+ M! I/ V* v; g/ [6 [
出現error* \. q! V6 l2 w9 `7 Z6 }1 P; n

+ R* O$ |. l$ A6 y: x( B1.CHECK OD.R.1WARN -2 errors
7 d6 S9 Y; H5 i, V; w9 S% ?3 H(OD WITHOUT IMPLANT)
  |# G4 ?# m% |: s1 J0 M
3 `% X4 @" T( H! |& O2.CHECK M1.E.2- 8 errors. ?3 G& A+ N  M; z* i
M1.E.2(@Min extension of M1 end-of-line region beyond
* J  E) a# B- sC0 region is 0.06um X = ENC[C0] M1 < 0.06 ABUT < 90 opposite  N+ l* n; z# B- y/ {, {" o! F* T
INT x <0.22 ABUT == 90 intersecting only), F! v1 E, T1 ?6 H$ K

7 u; n$ d- X1 j( T3.CHECK P0.R.3 -1 errors
7 d* x# r8 B5 T0 n9 Q" B% tPoly area coverage < 14% (exclude application forindactor)9 V5 s4 H! [  c# i* y# ^! P$ _5 w( d
CHIP_NOT_IND = CHIP NOT INDDMY# L1 D) Z. ~8 t( t
Density polyI_NIND CHIP_NOT_IND <0.14 print  b8 {4 A8 j8 r& E) P* H3 S! n
AREA (POLYI_NIND) / AREA (CHIP_NOT_IND)3 @0 \, \, K2 j  V( u
.
( t9 y1 n/ w, ~+ _7 Z- y.
1 \5 L( m: q% i3 E) E' b( C% G( C  }7 P.6 x, ]* c3 P4 R7 M6 o$ ^* D
類似錯誤
( M* {. m* `4 O( v. U
; W" h# v8 }; x3 V7 Y6 R4 W1 m0 N+ f" K
2 q% D& n9 `1 S9 y6 c

0 M' |6 `/ k8 {9 Z6 a0 W0 k! ?1。因為標錯誤的圖示實在找不到,無從下手,都在亂猜,所以上來請益,1 H* W7 ?# [2 g+ p( h1 |2 i
希望可以指出我錯誤的地方跟改錯方法?
/ d# u; S& l  L& \% Fex. diffusion :gate 的寬度不能小於0.32 之類的
  o& D; G, X, ?% t9 U7 b* T7 Q; I2。是否有專業解說DRC error的網站?可以提供給小弟精進,還是一切
: a, i* j% G8 w1 U+ j都是憑經驗
" F* K! T- {  j; u) N/ `" e& D1 g% T
初次發問,得罪的地方,請多多指教。
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2#
發表於 2008-5-14 16:14:06 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

1.是OD外圍要圍n implant or p implant  Z; H8 j) x. N
2.是左右MT1 extension co 需0.0um6 f! G0 |. E4 f( u  F6 _0 d
3.是Poly area 要大於14% (就把他話大超過14%就可以了)% Z$ d+ L/ D- ]4 }( a* h9 k
我覺得應該釋這樣解釋!!
3#
發表於 2008-5-14 19:05:42 | 只看該作者
建議您可以先去看一下IC製程的流程& e" L! ~; u; U, A. i) p" I

  S3 f& h3 u' Q3 c) r; j4 j這樣子在Layout 時會比較有感覺
4#
發表於 2008-5-14 19:26:12 | 只看該作者
撱箄降���foundary撱��靘��design rules paper憒�迨�冽�error���瘥�����閬�
5#
發表於 2008-5-15 03:10:27 | 只看該作者
感覺您mos是自己建的?
- L" Z% ^! z3 M2 \* X& R6 i第三個coverage 可以忽略$ n1 R4 y. }% k2 h
要下線時再解決即可, J% N# B# |; J) x; ~; l) K3 Z8 R
. U! l7 V% W# E6 s  T. O
laker 有 ctrl+m 直接呼叫出mos的功能...
" n1 t* z- B( I1 S4 v6 z* T. |應該是說,這個製程檔for laker 的 已經有事先建好了
6#
 樓主| 發表於 2008-5-15 04:45:40 | 只看該作者
原帖由 Shouwei 於 2008-5-15 03:10 AM 發表 3 y! f' {* a+ E& U% p0 ?- u& Z8 a
感覺您mos是自己建的?( I- r3 C6 y/ Q1 Z. a" C+ q0 v, h
第三個coverage 可以忽略
! G! _1 r& Y  t" s7 ^要下線時再解決即可
4 |3 v3 k$ C" v' Y6 A1 v: n  X+ Z! a
* ?3 F5 Z+ F- T' G% Y. _2 [+ z( ?laker 有 ctrl+m 直接呼叫出mos的功能...2 b! w' r0 e) v9 N" Y2 A% \
應該是說,這個製程檔for laker 的 已經有事先建好了
" ]2 I) b. C$ t' h+ q% c7 @/ f# y
# S- t. A' Y$ D% U5 I9 }( y# U+ l
. l* s3 ^. @, w! ~  G" l6 w  L' f
mos 我是用模組,create -> trainsistor -> pMos 1.8V 這樣
6 `9 b" X' Q( C# F2 Z, x0.18 um 我不曉得是不是 poly的寬度 。他有預設0.18 um
- s/ W6 W2 N4 C0 f$ w" r1 J- X感謝你的回答,我又多了一個try的機會,往正確的道路行走。
7#
發表於 2008-5-15 08:41:50 | 只看該作者
是呀,點18製程,當然poly預設就是最短的length,0.18um
  o* m6 h" b. M/ K* H, e5 ?1 [! w% l=============================================, x) f/ C4 o) I1 C, x3 Z
今天cic 有開放線上e-learning
4 f+ R- g& n* n9 H7 V: P% g趕快詢問您們lab的管理員
0 f( \* X1 [- }7 R& C  K3 v* @看有沒有開權限給您(要先加入cic會員)  A' i! [# K7 k
裡面有教laker、full custom design concept
( h7 ^+ `7 d. d8 F, J9 j亦有hspice,都有一些不錯的技巧9 h1 ^: O; E5 E( a! W2 m6 q
要趕快報名唷,晚了就向隅了,呵呵
8#
發表於 2008-5-16 18:57:47 | 只看該作者
建議看foundary廠的DRC paper,這樣在找error時會比較有感覺。
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