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[問題求助] 製成變換跟mos 大size的關係

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1#
發表於 2007-10-8 17:46:05 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
有一組可以在tsmc.18製成下work的電路
/ y# m' a  K7 w* e! ]2 w9 H  E1 `2 S5 ]* B% G5 y
如果改用tsmc.35來設計時 mos大小可以照倍數調整嗎?!
" w  K7 [/ U4 w$ |/ q  L  F2 _8 ?8 I8 ]  q1 Q6 I
如果可以 倍率約是多少呢??
- n& l/ N2 i, j) g2 x- |) i
! K; D0 }  f7 t0 D5 F1 G感情大家!!

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5#
發表於 2007-11-29 17:58:43 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

早期LAYOUT 用參數制
$ ]$ t5 n2 n8 _! ~# [$ n就是想這樣做
/ c( e! p5 D) \! d& f) V後來發現不行2 O# ~: `1 S) A- s+ R& i3 w$ e
不是每ㄍ都按相同比例
4#
發表於 2007-11-29 17:48:56 | 只看該作者
還是重畫吧..雖然是同晶圓廠但製程是差了一萬八千里..看看Design Rule你就知道了..雖然之前聽說有一個可以改廠..改製程的軟體但聽說跑完之後還是有一堆Rule要改.......蠻費時的..要不然..你覺得Design  要 Layout 幹麻...  當然..萬一IC不會動..拿來推卸責任...是另一種功能....!!
3#
發表於 2007-10-18 09:35:51 | 只看該作者
其實這一部份!! 要看你的規格需求吧!!# V7 B0 s' h* L0 }* U- o
同樣的  0.18um 的製程!!  都不一定相同!!2 @; p' b  G# E9 e7 \2 Z7 @
所以  最好依你自己的規格  重新設計會比較佳!!
2#
發表於 2007-10-8 19:42:31 | 只看該作者
基本上應該不行直接換
4 ]) R% W" n! K* YSPICE Model不同* e) k3 `5 k; j# r
參數也不同
0 v! A8 u% {8 Y' p, }. G+ \5 q9 F$ ]2 |應該無法直接比例放大
# V( b' x: E9 e" L# b- Y, x& y8 X4 M1 e$ Q1 C' l
可是如果數位電路可能可以
+ i# s# j2 n2 m9 U; s7 T2 ]' ~- m不過放大Rail Time and Fall Time可能會變差
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