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[問題求助] VOLTAGE REFERENCES

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1#
發表於 2007-11-8 17:30:58 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
請問一下
2 K- o) A& M7 ]( m" R在VOLTAGE REFERENCES使用 運算放大器+電晶體來做
) B' q5 {' D: `* j2 N運算放大器就使用Folded cascode op) T4 J  _6 m% S5 Q+ k* e4 c
4 a: A+ @0 W! i% K6 z2 h
我的問題是 要如何調整所要的VOLTAGE REFERENCES大小?- j" O2 v8 }6 ]; x/ y2 I
9 j, ~+ }" l4 k' B4 E( [1 m7 ]
還有就是如何在標準 CMOS製程中實現BJT?
; y8 r  [" [* U+ W4 k
$ t2 a$ y4 b- H2 x, [1 d另外想再問一下! J4 z4 P) E9 O+ |- T% c! p
HSPICE中  有五種Corner(TT、FF、FS、SS、SF)* R- M  N7 U/ ?# }7 L) K* w8 l. p
請問這幾種有什麼差別呢/ n& m, d8 ]' f2 q5 V; J
小聲問(ppm是什麼的單位)) g6 P3 t  h7 w" a. T, p' }
謝謝各位了
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3#
發表於 2007-11-14 16:39:36 | 只看該作者
VBG(1.25V)+Voltage Buffer(OP+回授電阻分壓)就可以調出你要的電壓了
5 G% a, l' w9 `: _9 p2 ?8 T
8 D2 w  f0 L; R# N4 k& ]+ _" `PPM是指百萬分之一; ^3 K* B% A/ K5 K

$ p; Z6 u$ A" FTT FF FS SS SF 是說PMOS跟NMOS是快的還是慢的 F是快 S是慢 T是Typical
  f+ p2 ~( J  R3 Y+ d快跟慢主要是因為製程的變異造成Vth不同 Vth越小 MOS速度越快, \. o* D- N6 N( m, @1 [  `- P( R
一般設計電路這些corner都會模擬一遍 以保證電路在製程變異下 還是可以運作
2#
發表於 2007-11-9 11:15:51 | 只看該作者
A CMOS bandgap reference circuit with sub-1-V operation
: n8 C* ^: n2 w: N- L1999 JSCC6 a- s& r/ y' o; O. W' w! L
看一下這篇論文吧
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