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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer) w- d$ j( D% d+ A: B) w
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
$ F4 U% y) ~+ mPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
( M- \ Z# h, H$ s3 H但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況8 x( a6 D. Q) |7 ? o2 }
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊9 X0 y1 v# n6 p& e: {6 T$ Z
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
* e) J4 |8 q$ L% Q- l. s5 L- r- M因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
' J/ G, j, l0 p最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
2 g& P. y8 E8 b/ o) gCascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.0 V! r C( }; N" j$ w0 f c5 v
; U& u( |' U! }5 ]
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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