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[問題求助] noise figure simulation problem

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1#
發表於 2007-9-10 14:41:40 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
小弟最近在做元件的noise figure simulation  發現一個很奇怪的事情) p0 b2 k: Y1 E7 B! ~+ C
      
8 Z) a! J. t. O  c2 ]! x- O我使用的是0.18um的model card 跑的是RFNMOS; i5 G3 E; }* W5 a' r+ M' q
其中core的部份所使用的是 bsim3 version=3.24的model
/ P0 L# m. W; K8 h# g+ I& s) _5 u' r令我不解的事情是 我使用ic 5.0.33與 ic 5.0.41所跑出來的結果不一樣* p8 ?; A+ O1 z: O. e, k& s1 ?
從結果看來 應該是ic 5.0.33與 ic 5.0.41造成的8 c: Q# M! d7 @# Y2 X
但是所算出來的noise figure不是由bsim3v3的model equation所決定的嗎??
) x' _0 Y2 m+ A" _" G) y5 h) Q1 g# Q: z: [# J+ E0 ^- B6 X0 ~
另外, 如果我使用ic 5.0.33
& @! P2 R9 L7 J$ ~& t4 E3 k: U我在CDF中鍵入m=3 (即multiplier=3)        . }" `6 n- d, o! Z+ q3 ?
跟我用m=1 自己手動拉三個mos的symbol出來5 l7 B+ E0 A  w( S* h/ ]
noise figure的結果也會不一樣 (其他如iv, spar都會一樣)/ X9 A) h! ?1 L( l1 c  F9 v. k
  I( H7 w7 G% I& `9 H2 o5 V% p
$ B, m1 D& N5 O
不知道有沒有人有類似的經驗可以分享8 @# K0 h2 j6 j. e8 p. V3 M
感謝~~
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4#
發表於 2007-9-21 11:16:16 | 只看該作者
PDK 的RF model是直接可以產生MOS的layout,所以RF PDK已經有考慮此一問題.
3#
 樓主| 發表於 2007-9-11 14:43:09 | 只看該作者
layout的時候 三個MOS用一個guard ring圍起來跟 個別的guard ring圍起來 的確會有不同沒錯
+ Y: y  e+ \8 t3 H* j* W7 J     但是現在只是用model作simulation  它如何知道我要怎麼拉線" z1 d4 T2 l6 q: H& ]. X8 @
     simulator(或者PDK)是怎麼控制讓它跑出來的結果不一樣呢??
& X! Q' v  z+ e2 D3 N- D+ N% j4 `/ z  s" t$ k4 }" Z
     至於版本的問題   我的整個模擬環境都沒有改變  單純只是版本的不一樣" g' ^! n* V" p( d- q
     不同的simulator跑出來的結果不一樣  還算正常5 G3 f" X7 e! ]- ~( O
     同一simulator不同版本的結果不同  雖然不是不可能  但是還是很想知道差異到底來自何處
4 P- I" \/ ^$ v* Q     我使用的是bsim3的model 照理講 模擬的結果應該是由bsim裡面的code來決定  不是這樣嗎??% w) Q/ w$ s3 C3 y' ]* H7 I+ Y
     (我指的是IV跟thermal noise or flicker noise等 model code裡面有宣告的方程式 非Spar)
2#
發表於 2007-9-11 10:42:01 | 只看該作者
手拉和m=3當然不同,因為rf model為更精確的model,m=3之時,layout 會是3個mos一個gaurd-ring,手拉的話,則是3個mos各自有gaurd-ring,
' M6 y: P! l6 p  d5 b當然不同.
; }, ?' i7 F' Z( P2 ]使用不同版本的simulator,會有不同的結果,沒有遇到過,不過要看你的設定是否因不同的版本而有所改變.
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