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[問題求助] noise figure simulation problem

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1#
發表於 2007-9-10 14:41:40 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟最近在做元件的noise figure simulation  發現一個很奇怪的事情. }& k, J  {& V$ r
         ?/ f- e! ^: E; Z  x9 E1 E. V
我使用的是0.18um的model card 跑的是RFNMOS
  l8 l7 w+ A* r其中core的部份所使用的是 bsim3 version=3.24的model# w8 X3 U* i- {. u( {' a% }
令我不解的事情是 我使用ic 5.0.33與 ic 5.0.41所跑出來的結果不一樣
" P% x5 _6 f6 K從結果看來 應該是ic 5.0.33與 ic 5.0.41造成的
, P, o  z9 Y" Z3 N) S但是所算出來的noise figure不是由bsim3v3的model equation所決定的嗎??
; E- r. U  ^$ X; i  n# ^1 ?+ I% E( F( d4 n: ]# {( ]+ J
另外, 如果我使用ic 5.0.33; w; P* m( X7 T5 o1 K& H
我在CDF中鍵入m=3 (即multiplier=3)       
8 I2 z2 X; J2 a跟我用m=1 自己手動拉三個mos的symbol出來
: x; X5 H! j* F+ q8 @' w( Mnoise figure的結果也會不一樣 (其他如iv, spar都會一樣)
. a$ K1 T+ n% \( ?, I0 f
; t, o0 x4 l7 u/ P+ _1 a+ E! H) A4 T3 N9 r- q9 r/ c
不知道有沒有人有類似的經驗可以分享
# `- n* L1 t. r8 C( i/ j感謝~~
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2#
發表於 2007-9-11 10:42:01 | 只看該作者
手拉和m=3當然不同,因為rf model為更精確的model,m=3之時,layout 會是3個mos一個gaurd-ring,手拉的話,則是3個mos各自有gaurd-ring,
4 U7 r* |- B' e! C+ v當然不同.( ]- V  X/ v6 E* v
使用不同版本的simulator,會有不同的結果,沒有遇到過,不過要看你的設定是否因不同的版本而有所改變.
3#
 樓主| 發表於 2007-9-11 14:43:09 | 只看該作者
layout的時候 三個MOS用一個guard ring圍起來跟 個別的guard ring圍起來 的確會有不同沒錯
+ t" w" p% {& L     但是現在只是用model作simulation  它如何知道我要怎麼拉線
- U* a9 E9 t6 x     simulator(或者PDK)是怎麼控制讓它跑出來的結果不一樣呢??
  c2 j! {. N3 o+ y
' a: |- J; Q9 H# S4 \     至於版本的問題   我的整個模擬環境都沒有改變  單純只是版本的不一樣
$ [$ \4 {' c: U2 N$ Y# ?     不同的simulator跑出來的結果不一樣  還算正常9 v) J" L+ ]& E, S
     同一simulator不同版本的結果不同  雖然不是不可能  但是還是很想知道差異到底來自何處& F+ y( C# v5 z6 s  {4 e
     我使用的是bsim3的model 照理講 模擬的結果應該是由bsim裡面的code來決定  不是這樣嗎??& N# d. \- B, |  y- J$ N
     (我指的是IV跟thermal noise or flicker noise等 model code裡面有宣告的方程式 非Spar)
4#
發表於 2007-9-21 11:16:16 | 只看該作者
PDK 的RF model是直接可以產生MOS的layout,所以RF PDK已經有考慮此一問題.
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